VS3622AE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VS3622AE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: PDFN3333
Аналог (замена) для VS3622AE
VS3622AE Datasheet (PDF)
vs3622ae.pdf

VS3622AE 30V/45A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.9 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement mode I D 45 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package
vs3622ae.pdf

VS3622AE30V/45A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.9 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement modeI D 45 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingPDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3622AE
vs3622aa4.pdf

VS3622AA430V/9.2A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.7 m N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 9.2 A Fast Switching and High efficiencyDFN2x2x0.5-6LPart ID Package Type Marking PackingVS3622AA4 DFN2x2x0.5-6L 3622AA 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless otherwise specif
vs3622aa.pdf

VS3622AA30V/13A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.8 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 13 m Enhancement modeI D 13 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingDFN2x2x0.75-6L Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3622AA DFN2x2x0.75-6L 3622
Другие MOSFET... VS3508AE , VS3518AE , VS3522AE , VS3540AC , VS3610AE , VS3618AE , VS3618BE , VS3620GPMC , IRFP260N , VS3622DE , VS3640DS , VS40200AT , VS4020AP , VS4020AS , VS4080AI , VS4410AT , VS4518AD .
History: IRF6619 | DMG6301UDW | RJK5026DPE | TPC8301
History: IRF6619 | DMG6301UDW | RJK5026DPE | TPC8301



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166