VS6412AE - описание и поиск аналогов

 

VS6412AE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS6412AE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: PDFN3333

Аналог (замена) для VS6412AE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS6412AE даташит

 ..1. Size:644K  cn vanguard
 vs6412ae.pdf pdf_icon

VS6412AE

VS6412AE 65V/30A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 65 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 19 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 22 m Enhancement mode I D 30 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part I

 7.1. Size:793K  cn vanguard
 vs6412asl.pdf pdf_icon

VS6412AE

VS6412ASL 60V/10A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 14.5 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 16.0 m Enhancement mode I D 10 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology SOP8 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part

Другие MOSFET... VS4618AE , VS4N65CD , VS5810AS , VS5814DS , VS6016HS-A , VS6018AS , VS6018BS , VS6038AD , STP75NF75 , VS6412ASL , VS6614GS , VS6640AC , VS6808DH , VS6880AT , VS7N65AD , VS7N65AF , VS8068AD .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.