VS6412AE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VS6412AE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: PDFN3333
Аналог (замена) для VS6412AE
VS6412AE Datasheet (PDF)
vs6412ae.pdf

VS6412AE 65V/30A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 65 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 19 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 22 m Enhancement mode I D 30 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part I
vs6412asl.pdf

VS6412ASL 60V/10A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 14.5 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 16.0 m Enhancement mode I D 10 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology SOP8 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part
Другие MOSFET... VS4618AE , VS4N65CD , VS5810AS , VS5814DS , VS6016HS-A , VS6018AS , VS6018BS , VS6038AD , 12N60 , VS6412ASL , VS6614GS , VS6640AC , VS6808DH , VS6880AT , VS7N65AD , VS7N65AF , VS8068AD .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout