Справочник MOSFET. VS6412AE

 

VS6412AE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS6412AE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333
 

 Аналог (замена) для VS6412AE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS6412AE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:644K  cn vanguard
 vs6412ae.pdf pdf_icon

VS6412AE

VS6412AE 65V/30A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 65 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 19 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 22 m Enhancement mode I D 30 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part I

 7.1. Size:793K  cn vanguard
 vs6412asl.pdf pdf_icon

VS6412AE

VS6412ASL 60V/10A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 14.5 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 16.0 m Enhancement mode I D 10 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology SOP8 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part

Другие MOSFET... VS4618AE , VS4N65CD , VS5810AS , VS5814DS , VS6016HS-A , VS6018AS , VS6018BS , VS6038AD , 12N60 , VS6412ASL , VS6614GS , VS6640AC , VS6808DH , VS6880AT , VS7N65AD , VS7N65AF , VS8068AD .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.