VS80N08AT - аналоги и даташиты транзистора

 

VS80N08AT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VS80N08AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 83 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для VS80N08AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS80N08AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:747K  cn vanguard
 vs80n08at.pdf pdf_icon

VS80N08AT

VS80N08AT 80V/83A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 80 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.8 m N-Channel10V Logic Level Control I D 83 A Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=10 V 100% Avalanche test TO-220AB Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS80N08AT TO-220AB 8

Другие MOSFET... VS6412ASL , VS6614GS , VS6640AC , VS6808DH , VS6880AT , VS7N65AD , VS7N65AF , VS8068AD , IRF9540N , VS8205BH , VSB012N03MS , VSD004N03MS , VSD007N06MS , VSD013N10MS , VSD050P10MS , VSD090N10MS , VSE009NE6MS-G .

History: R5011ANX | 2N5115UB | GPT18N50DGN220FP | 2N5116UB

 

 
Back to Top

 


 
.