VS80N08AT - описание и поиск аналогов

 

VS80N08AT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS80N08AT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 83 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для VS80N08AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS80N08AT даташит

 ..1. Size:747K  cn vanguard
 vs80n08at.pdf pdf_icon

VS80N08AT

VS80N08AT 80V/83A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 80 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.8 m N-Channel 10V Logic Level Control I D 83 A Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=10 V 100% Avalanche test TO-220AB Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS80N08AT TO-220AB 8

Другие MOSFET... VS6412ASL , VS6614GS , VS6640AC , VS6808DH , VS6880AT , VS7N65AD , VS7N65AF , VS8068AD , SPP20N60C3 , VS8205BH , VSB012N03MS , VSD004N03MS , VSD007N06MS , VSD013N10MS , VSD050P10MS , VSD090N10MS , VSE009NE6MS-G .

History: NTE4153NT1G | SI2325DS | NDT6N70 | IRF7700

 

 

 

 

↑ Back to Top
.