Справочник MOSFET. VS80N08AT

 

VS80N08AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS80N08AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 83 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 69 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VS80N08AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:747K  cn vanguard
 vs80n08at.pdf pdf_icon

VS80N08AT

VS80N08AT 80V/83A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 80 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.8 m N-Channel10V Logic Level Control I D 83 A Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=10 V 100% Avalanche test TO-220AB Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS80N08AT TO-220AB 8

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.