Справочник MOSFET. VSD004N03MS

 

VSD004N03MS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VSD004N03MS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для VSD004N03MS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSD004N03MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  cn vanguard
vsd004n03ms.pdfpdf_icon

VSD004N03MS

VSD004N03MS 30V/150A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 VFeatures R DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.2 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 2.8 m Enhancement mode I D 150 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-252 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking infor

 9.1. Size:1027K  cn vanguard
vsd007n06ms.pdfpdf_icon

VSD004N03MS

VSD007N06MS 60V/85A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.0 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.0 m Enhancement mode I D 85 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V TO-252 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Tape and reel informat

 9.2. Size:1017K  cn vgsemi
vsd003n04ms-g.pdfpdf_icon

VSD004N03MS

VSD003N04MS-G40V/58A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.1 m Low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 58 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedTO-252 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart I

 9.3. Size:1056K  cn vgsemi
vsd005n03ms.pdfpdf_icon

VSD004N03MS

VSD005N03MS30V/105A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.4 m Enhancement modeI D 105 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VTO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVSD005N03MS TO-252 005

Другие MOSFET... VS6808DH , VS6880AT , VS7N65AD , VS7N65AF , VS8068AD , VS80N08AT , VS8205BH , VSB012N03MS , TK10A60D , VSD007N06MS , VSD013N10MS , VSD050P10MS , VSD090N10MS , VSE009NE6MS-G , VSE090N10MS , VSF013N10MS , VSF600N70HS .

History: 2SK1428 | CSD16323Q3 | AM3906N | AONX38168A | 2N60G-T6C-K | NCEAP40T35ALL

 

 
Back to Top

 


 
.