Аналоги VSD004N03MS. Основные параметры
Наименование производителя: VSD004N03MS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для VSD004N03MS
VSD004N03MS даташит
vsd004n03ms.pdf
VSD004N03MS 30V/150A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.2 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 2.8 m Enhancement mode I D 150 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-252 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking infor
vsd007n06ms.pdf
VSD007N06MS 60V/85A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.0 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.0 m Enhancement mode I D 85 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V TO-252 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Tape and reel informat
vsd003n04ms-g.pdf
VSD003N04MS-G 40V/58A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 3 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.1 m Low RDS(on) to minimize conduction losses I D(Wire bond Limited) 58 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested TO-252 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses Part I
vsd005n03ms.pdf
VSD005N03MS 30V/105A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 3 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.4 m Enhancement mode I D 105 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V TO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VSD005N03MS TO-252 005
Другие MOSFET... VS6808DH , VS6880AT , VS7N65AD , VS7N65AF , VS8068AD , VS80N08AT , VS8205BH , VSB012N03MS , 13N50 , VSD007N06MS , VSD013N10MS , VSD050P10MS , VSD090N10MS , VSE009NE6MS-G , VSE090N10MS , VSF013N10MS , VSF600N70HS .
History: JMTG28DN10D | IXFN25N90 | JMH65R360AF | AOWF190A60C
History: JMTG28DN10D | IXFN25N90 | JMH65R360AF | AOWF190A60C
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOK065V65X2 | AOK065V120X2 | AOK033V120X2Q | AOK033V120X2 | AOB380A60L | AOB29S50L | AO3481C | AO3480 | APG068N04Q | APG068N04G | APG060N85D | APG054N10D | APG054N10 | APG050N85D | APG050N85 | APG046N01G
Popular searches
hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913






