Справочник MOSFET. VSD013N10MS

 

VSD013N10MS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VSD013N10MS
   Маркировка: 013N10M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 83 nC
   trⓘ - Время нарастания: 112 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для VSD013N10MS

 

 

VSD013N10MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:320K  cn vanguard
 vsd013n10ms.pdf

VSD013N10MS VSD013N10MS

VSD013N10MS 100V/52A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 VFeatures R DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement mode I D 52 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V TO-252 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking informat

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top