Справочник MOSFET. VSD013N10MS

 

VSD013N10MS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VSD013N10MS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 112 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VSD013N10MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:320K  cn vanguard
 vsd013n10ms.pdf pdf_icon

VSD013N10MS

VSD013N10MS 100V/52A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 VFeatures R DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement mode I D 52 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V TO-252 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking informat

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HSP15810C | AP2306CGN-HF | FTK4438 | IPL60R060CFD7 | NVTFS6H850NL | AM2362N | CPC3701

 

 
Back to Top

 


 
.