VSD013N10MS - описание и поиск аналогов

 

VSD013N10MS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VSD013N10MS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 112 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для VSD013N10MS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSD013N10MS даташит

 ..1. Size:320K  cn vanguard
 vsd013n10ms.pdf pdf_icon

VSD013N10MS

VSD013N10MS 100V/52A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement mode I D 52 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V TO-252 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking informat

Другие MOSFET... VS7N65AD , VS7N65AF , VS8068AD , VS80N08AT , VS8205BH , VSB012N03MS , VSD004N03MS , VSD007N06MS , 12N60 , VSD050P10MS , VSD090N10MS , VSE009NE6MS-G , VSE090N10MS , VSF013N10MS , VSF600N70HS , VSI008N10MS , VSI013N08MS .

History: RQA0008NXAQS | STT3962N | 2SK3572-Z | CS460FA9H | TPM2008EP3-A | SL2302M | ZXMNS3BM832TA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.