VSD013N10MS - аналоги и даташиты транзистора

 

VSD013N10MS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VSD013N10MS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 112 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для VSD013N10MS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSD013N10MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:320K  cn vanguard
 vsd013n10ms.pdf pdf_icon

VSD013N10MS

VSD013N10MS 100V/52A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 VFeatures R DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement mode I D 52 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V TO-252 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking informat

Другие MOSFET... VS7N65AD , VS7N65AF , VS8068AD , VS80N08AT , VS8205BH , VSB012N03MS , VSD004N03MS , VSD007N06MS , IRF1010E , VSD050P10MS , VSD090N10MS , VSE009NE6MS-G , VSE090N10MS , VSF013N10MS , VSF600N70HS , VSI008N10MS , VSI013N08MS .

History: IPD70R2K0CE | IRF7495 | RU30E60M2 | PE537BA | SSI65R190S2 | FQD2N100 | PTP18N20A

 

 
Back to Top

 


 
.