Справочник MOSFET. VSE009NE6MS-G

 

VSE009NE6MS-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VSE009NE6MS-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 435 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333
 

 Аналог (замена) для VSE009NE6MS-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSE009NE6MS-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1886K  cn vanguard
vse009ne6ms-g.pdfpdf_icon

VSE009NE6MS-G

VSE009NE6MS-G60V/50A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 60 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 7 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 m VitoMOS TechnologyI D 50 A Fast Switching and High efficiencyPDFN3333 100% Avalanche TestedPart ID Package Type Marking PackingVSE009NE6MS-G PDFN3333 009NE6M 5000pcs/ReelMaximum ratings, at T A=25 C, unle

 9.1. Size:984K  cn vgsemi
vse008ne2ls.pdfpdf_icon

VSE009NE6MS-G

VSE008NE2LS25V/55A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 25 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.8 m N-Channel3.3V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6.6 m Low RDS(on) and High EfficiencyI D 55 A Fast Switching Enhancement modePDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVSE008NE2

 9.2. Size:966K  cn vgsemi
vse004n04ms.pdfpdf_icon

VSE009NE6MS-G

VSE004N04MS40V/48A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.1 m Low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 48 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVSE004N04MS PDFN3333 004N04M 5000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25

 9.3. Size:1250K  cn vgsemi
vse002n03ms-g.pdfpdf_icon

VSE009NE6MS-G

VSE002N03MS-G30V/155A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 1.4 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 2.2 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D(Silicon Limited) 155 A VitoMOS Technology Fast Switching and High efficiencyPDFN3333 ESD Protection HBM 1500V Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen

Другие MOSFET... VS80N08AT , VS8205BH , VSB012N03MS , VSD004N03MS , VSD007N06MS , VSD013N10MS , VSD050P10MS , VSD090N10MS , AON7506 , VSE090N10MS , VSF013N10MS , VSF600N70HS , VSI008N10MS , VSI013N08MS , VSI080N06MS , VSO008N10MS , VSO009N06MS-G .

History: 2SK2084STL-E | TSF840MR

 

 
Back to Top

 


 
.