VSE009NE6MS-G - описание и поиск аналогов

 

VSE009NE6MS-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VSE009NE6MS-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 435 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: PDFN3333

Аналог (замена) для VSE009NE6MS-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSE009NE6MS-G даташит

 ..1. Size:1886K  cn vanguard
vse009ne6ms-g.pdfpdf_icon

VSE009NE6MS-G

VSE009NE6MS-G 60V/50A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 7 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 m VitoMOS Technology I D 50 A Fast Switching and High efficiency PDFN3333 100% Avalanche Tested Part ID Package Type Marking Packing VSE009NE6MS-G PDFN3333 009NE6M 5000pcs/Reel Maximum ratings, at T A=25 C, unle

 9.1. Size:984K  cn vgsemi
vse008ne2ls.pdfpdf_icon

VSE009NE6MS-G

VSE008NE2LS 25V/55A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 25 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.8 m N-Channel 3.3V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6.6 m Low RDS(on) and High Efficiency I D 55 A Fast Switching Enhancement mode PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VSE008NE2

 9.2. Size:966K  cn vgsemi
vse004n04ms.pdfpdf_icon

VSE009NE6MS-G

VSE004N04MS 40V/48A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.1 m Low RDS(on) to minimize conduction losses I D(Wire bond Limited) 48 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN3333 Part ID Package Type Marking Packing VSE004N04MS PDFN3333 004N04M 5000PCS/Reel Maximum ratings, at TA =25

 9.3. Size:1250K  cn vgsemi
vse002n03ms-g.pdfpdf_icon

VSE009NE6MS-G

VSE002N03MS-G 30V/155A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 1.4 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 2.2 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D(Silicon Limited) 155 A VitoMOS Technology Fast Switching and High efficiency PDFN3333 ESD Protection HBM 1500V Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen

Другие MOSFET... VS80N08AT , VS8205BH , VSB012N03MS , VSD004N03MS , VSD007N06MS , VSD013N10MS , VSD050P10MS , VSD090N10MS , IRFB3607 , VSE090N10MS , VSF013N10MS , VSF600N70HS , VSI008N10MS , VSI013N08MS , VSI080N06MS , VSO008N10MS , VSO009N06MS-G .

History: SE9926 | 4N60KL-TMS4-T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.