Справочник MOSFET. VST012N06MS

 

VST012N06MS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VST012N06MS
   Маркировка: 012N06M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 26 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для VST012N06MS

 

 

VST012N06MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  cn vanguard
 vst012n06ms.pdf

VST012N06MS VST012N06MS

VST012N06MS 60V/55A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 VFeatures R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.4 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 9.8 m Enhancement mode I D 55 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Pac

 9.1. Size:307K  cn vanguard
 vst018n10ms.pdf

VST012N06MS VST012N06MS

VST018N10MS 100V/60A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 VFeatures R DS(on),TYP@ VGS=10V 14 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 15 m Enhancement mode I D 60 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Pac

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top