FCH22N60N - описание и поиск аналогов

 

FCH22N60N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCH22N60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm

Тип корпуса: TO247 TO3P TO3PF

Аналог (замена) для FCH22N60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCH22N60N даташит

 ..1. Size:379K  fairchild semi
 fch22n60n.pdf pdf_icon

FCH22N60N

June 2010 TM SupreMOS FCH22N60N tm N-Channel MOSFET 600V, 22A, 0.165 Features Description RDS(on) = 0.140 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 11A The SupreMOS MOSFET, Fairchild s next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling BVDSS>650V @ TJ = 150oC process that differentiates it from preceding multi-epi based tech- nologies. By utilizin

Другие MOSFET... FCD4N60 , IRFD9020 , FCD5N60 , STU9916L , FCD7N60 , STU816S , FCD9N60NTM , STU802S , IRF630 , STU670S , FCH25N60N , STU668S , FCH35N60 , STU666S , FCH47N60 , STU664S , FCH47N60F .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.