Справочник MOSFET. FCH22N60N

 

FCH22N60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCH22N60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: TO247 TO3P TO3PF
 

 Аналог (замена) для FCH22N60N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCH22N60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  fairchild semi
 fch22n60n.pdf pdf_icon

FCH22N60N

June 2010 TMSupreMOSFCH22N60NtmN-Channel MOSFET 600V, 22A, 0.165Features Description RDS(on) = 0.140 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 11A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling BVDSS>650V @ TJ = 150oCprocess that differentiates it from preceding multi-epi based tech-nologies. By utilizin

Другие MOSFET... FCD4N60 , IRFD9020 , FCD5N60 , STU9916L , FCD7N60 , STU816S , FCD9N60NTM , STU802S , 7N65 , STU670S , FCH25N60N , STU668S , FCH35N60 , STU666S , FCH47N60 , STU664S , FCH47N60F .

 

 
Back to Top

 


 
.