Справочник MOSFET. SM180R65CT8TL

 

SM180R65CT8TL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SM180R65CT8TL
   Маркировка: 180R65C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 36 nC
   trⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1480 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SM180R65CT8TL

 

 

SM180R65CT8TL Datasheet (PDF)

 5.1. Size:864K  cn sps
 sm180r65c.pdf

SM180R65CT8TL SM180R65CT8TL

SM180R65C30V /36A Single N Power MOSFET N-Channel Super Junction Power MOSFET Description ID 20A SM180R65C is power MOSFET using advanced super junction technology that can realize very low VDSS 650V on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling Rdson (max.) 0.18(VGS=10V, ID=10A) technology. These user friendly dev

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top