SM180R65CT8TL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SM180R65CT8TL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1480 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SM180R65CT8TL
SM180R65CT8TL Datasheet (PDF)
sm180r65c.pdf

SM180R65C30V /36A Single N Power MOSFET N-Channel Super Junction Power MOSFET Description ID 20A SM180R65C is power MOSFET using advanced super junction technology that can realize very low VDSS 650V on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling Rdson (max.) 0.18(VGS=10V, ID=10A) technology. These user friendly dev
Другие MOSFET... YTF153 , YTF250 , YTF251 , SM140R50CT2TL , SM140R50CT1TL , SM140R50CT8TL , SM180R65CT2TL , SM180R65CT1TL , IRF840 , SM2301 , SM2302 , SM2305 , SM2306 , SM2312SRL , SM2314 , SM3012T9RL , SM32314D1RL .
History: 2N7002KG8 | TPP65R260M | RU30230R
History: 2N7002KG8 | TPP65R260M | RU30230R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent