Справочник MOSFET. SM180R65CT8TL

 

SM180R65CT8TL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM180R65CT8TL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SM180R65CT8TL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM180R65CT8TL Datasheet (PDF)

 5.1. Size:864K  cn sps
 sm180r65c.pdf pdf_icon

SM180R65CT8TL

SM180R65C30V /36A Single N Power MOSFET N-Channel Super Junction Power MOSFET Description ID 20A SM180R65C is power MOSFET using advanced super junction technology that can realize very low VDSS 650V on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling Rdson (max.) 0.18(VGS=10V, ID=10A) technology. These user friendly dev

Другие MOSFET... YTF153 , YTF250 , YTF251 , SM140R50CT2TL , SM140R50CT1TL , SM140R50CT8TL , SM180R65CT2TL , SM180R65CT1TL , IRF840 , SM2301 , SM2302 , SM2305 , SM2306 , SM2312SRL , SM2314 , SM3012T9RL , SM32314D1RL .

History: BRCS070N03DSC | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | SM6A12NSU | TPCC8061-H | CJD04N65

 

 
Back to Top

 


 
.