Справочник MOSFET. SM2306

 

SM2306 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM2306
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SM2306 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2453K  cn sps
sm2306.pdfpdf_icon

SM2306

SM2306N-Channel High Density Trench MOSFET Features1 Advanced Trench Process Technology. 2 High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance. 3 RoHS Compliant. PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m-ohm) Max 37 @ VGS = 10V, ID=4.0A 30V 4.0A 49 @ VGS = 4.5V, ID=3.5A SM2306 Pin Assignment & Symbol Ordering Information Ordering Number Pin Ass

 0.1. Size:238K  taiwansemi
tsm2306cx.pdfpdf_icon

SM2306

TSM2306 30V N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-23 Pin Definition: VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 1. Gate 2. Source 57 @ VGS =10V 3.5 3. Drain 30 94 @ VGS =4.5V 2.8 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch Ordering Information Part No. Pa

 0.2. Size:257K  sino
sm2306nsa.pdfpdf_icon

SM2306

SM2306NSA N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/4.7A,D RDS(ON)=40m (max.) @ VGS=10VS RDS(ON)=60m (max.) @ VGS=4.5VG Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOT-23-3(RoHS Compliant)DApplicationsG Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and Battery Powered Systems.S Load SwitchN-Chann

 0.3. Size:947K  globaltech semi
gsm2306a.pdfpdf_icon

SM2306

GSM2306A 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2306A, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.5A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A,RDS(ON)=750m@VGS=1.8V Super high density cell design for These devices are particularl

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SI7892BDP | IRC8405 | 5N65AF | 7N65KG-T2Q-T | 2SK56 | SQJ460AEP | IRF6217

 

 
Back to Top

 


 
.