SM3401 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SM3401
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 9.5 nC
Время нарастания (tr): 3 ns
Выходная емкость (Cd): 115 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.052 Ohm
Тип корпуса: SOT23
SM3401 Datasheet (PDF)
sm3401.pdf
SM3401Features Schematic diagram SOT-23Top ViewGDSPRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m-ohm) Max 52@ VGS = -10V65@ VGS = -4.5V -30V -4.4A 85 @ VGS =- 2.5V Ordering Information Ordering Number Pin AssignmentPackage PackingLead Free Halogen Free 1 2 3 SM3401SR GSM3401SR L SOT-23 G S D Tape ReelSM3401 X X X (1) SSOT-23(1)Packa
tsm3401cx.pdf
TSM3401 30V P-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-23 Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 60 @ VGS = 10V -3.0 3. Drain -30 90 @ VGS = 4.5V -2.0 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch P-Channel MOSFET Ordering Info
sm3401nsqg.pdf
SM3401NSQGN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDDD 30V/50A, DRDS(ON) =2.8m(max.) @ VGS =10VRDS(ON) =3.6m(max.) @ VGS =4.5VGSSS 100% UIS + Rg TestedDFN3.3x3.3-8(Saw-EP) Avalanche Rated Reliable and Rugged(5,6,7,8)D D DD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications (4) G Power Management in Notebook Com
gsm3401s.pdf
GSM3401S GSM3401S 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3401S, P-Channel enhancement mode -30V/-4.0A RDS(ON)=65m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-3.2A RDS(ON)=80m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-1.0A RDS(ON)=105m@VGS=-2.5V Super high density cell design for extremely These devi
gsm3401as.pdf
30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3401AS, P-Channel enhancement mode -30V/-2.4 RDS(ON)=70m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-1.8 RDS(ON)=80m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-1.2 RDS(ON)=105m@VGS=-2.5V These devices are particularly suited for low Super high density cell de
jsm3401l.pdf
JSM3401LP-Channel 30-V(D-S) MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-23-3L0.053@-10V3-30V 0.065@-4.5V 1.GATE-4.2A2.SOURCE0.085@-2.5V3.DRAIN12MARKING Equivalent CircuitGeneral FEATURETrenchFET Power MOSFETLead free product is acquiredSurface mount packageA19TF wAPPLICATION*wweek codeLoad Switch for Portable DevicesDC/DC ConverterMaximu
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
