SM3402SRL. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SM3402SRL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для SM3402SRL
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SM3402SRL даташит
sm3402srl.pdf
SM3402SRL 30V /4A Single N Power MOSFET B N03B N 30V /4A Single N Power MOSFET 4N03B General Description 30 V V DS 30V /4A Single N Power MOSFET 45.5 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 71.5 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 4 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Tested SM340
sm3402nsqg.pdf
SM3402NSQG N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D D D 30V/50A, D RDS(ON) =4.6m (max.) @ VGS =10V RDS(ON) =6.2m (max.) @ VGS =4.5V SG S S ESD Protected DFN3x3D-8_EP Avalanche Rated 100% UIS + Rg Tested (5,6,7,8) DDDD Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) (4) G Applications Power Management in Noteb
gsm3402a.pdf
30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3402A, N-Channel enhancement mode 30V/2.4A,RDS(ON)=82m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/2.0A,RDS(ON)=87m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/1.5A,RDS(ON)=110m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low Super high density cell design for
gsm3402.pdf
GSM3402 GSM3402 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3402, N-Channel enhancement mode 30V/4.0A,RDS(ON)=75m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench 30V/3.5A,RDS(ON)=80m @VGS=4.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low 30V/2.8A,RDS(ON)=100m @VGS=2.5V gate charge. These devices are particularly Super high density cell de
Другие MOSFET... SM2305 , SM2306 , SM2312SRL , SM2314 , SM3012T9RL , SM32314D1RL , SM3400 , SM3401 , IRF640N , SM3404SRL , SM3407 , SM3415 , SM3416 , SM360R65CT2TL , SM360R65CT1TL , SM4012T9RL , SM4132T9RL .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet




