Справочник MOSFET. SM454AT9RL

 

SM454AT9RL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM454AT9RL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SM454AT9RL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM454AT9RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:796K  cn sps
 sm454at9rl.pdf pdf_icon

SM454AT9RL

SM454AT9RL40V /20A Single N Power MOSFET H N04H N 40V /20A Single N Power MOSFET 20N04HGeneral Description 40 VV DS40V /20A Single N Power MOSFET 28.0 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 44.0 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 20 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested

 9.1. Size:430K  globaltech semi
 gsm4546.pdf pdf_icon

SM454AT9RL

GSM4546 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4546, N-Channel enhancement mode 40V/6.8A,RDS(ON)=52m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/5.6A,RDS(ON)=70m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

Другие MOSFET... SM4411 , SM4421 , SM4435 , SM4441 , SM4447A , SM4480 , SM4485 , SM4496PRL , TK10A60D , SM4606 , SM4614BPRL , SM4616PRL , SM4620PRL , SM4627PRL , SM4800 , SM4803APRL , SM4805PRL .

History: NCE60H10D | 2SK1142 | CTM04N60 | VBZE10N20 | SIHFI9Z24G | NCEP40PT12K | FDFME2P823ZT

 

 
Back to Top

 


 
.