Справочник MOSFET. SM454AT9RL

 

SM454AT9RL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SM454AT9RL
   Маркировка: 20N04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 37 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 8.3 nC
   Время нарастания (tr): 7.2 ns
   Выходная емкость (Cd): 82 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SM454AT9RL

 

 

SM454AT9RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:796K  cn sps
 sm454at9rl.pdf

SM454AT9RL SM454AT9RL

SM454AT9RL40V /20A Single N Power MOSFET H N04H N 40V /20A Single N Power MOSFET 20N04HGeneral Description 40 VV DS40V /20A Single N Power MOSFET 28.0 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 44.0 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 20 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested

 9.1. Size:430K  globaltech semi
 gsm4546.pdf

SM454AT9RL SM454AT9RL

GSM4546 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4546, N-Channel enhancement mode 40V/6.8A,RDS(ON)=52m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/5.6A,RDS(ON)=70m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top