Справочник MOSFET. SM454AT9RL

 

SM454AT9RL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SM454AT9RL
   Маркировка: 20N04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SM454AT9RL

 

 

SM454AT9RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:796K  cn sps
 sm454at9rl.pdf

SM454AT9RL SM454AT9RL

SM454AT9RL40V /20A Single N Power MOSFET H N04H N 40V /20A Single N Power MOSFET 20N04HGeneral Description 40 VV DS40V /20A Single N Power MOSFET 28.0 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 44.0 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 20 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested

 9.1. Size:430K  globaltech semi
 gsm4546.pdf

SM454AT9RL SM454AT9RL

GSM4546 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4546, N-Channel enhancement mode 40V/6.8A,RDS(ON)=52m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/5.6A,RDS(ON)=70m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: NP161N04TUG | IPP65R310CFDA

 

 
Back to Top