SM454AT9RL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SM454AT9RL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SM454AT9RL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM454AT9RL даташит

 ..1. Size:796K  cn sps
 sm454at9rl.pdf pdf_icon

SM454AT9RL

SM454AT9RL 40V /20A Single N Power MOSFET H N04H N 40V /20A Single N Power MOSFET 20N04H General Description 40 V V DS 40V /20A Single N Power MOSFET 28.0 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 44.0 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 20 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Tested

 9.1. Size:430K  globaltech semi
 gsm4546.pdf pdf_icon

SM454AT9RL

GSM4546 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4546, N-Channel enhancement mode 40V/6.8A,RDS(ON)=52m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/5.6A,RDS(ON)=70m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

Другие IGBT... SM4411, SM4421, SM4435, SM4441, SM4447A, SM4480, SM4485, SM4496PRL, 13N50, SM4606, SM4614BPRL, SM4616PRL, SM4620PRL, SM4627PRL, SM4800, SM4803APRL, SM4805PRL