Справочник MOSFET. SM6366ED1RL

 

SM6366ED1RL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM6366ED1RL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для SM6366ED1RL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM6366ED1RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:743K  cn sps
 sm6366ed1rl.pdf pdf_icon

SM6366ED1RL

SM6366ED1RL30V /34A Single N Power MOSFET D E03D E 30V /34A Single N Power MOSFET 34E03DGeneral Description 30 VV DS30V /34A Single N Power MOSFET 3.6 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 5.7 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 34 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested

 9.1. Size:777K  cn sps
 sm6362d1rl.pdf pdf_icon

SM6366ED1RL

SM6362D1RL30V /60A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /60A Single N Power MOSFET 60N03DGeneral Description 30 VV DS30V /60A Single N Power MOSFET 6.0 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 9.5 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 60 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedS

Другие MOSFET... SM4953 , SM514T9RL , SM600R65CT9RL , SM600R65CT2TL , SM600R65CT1TL , SM6204D1RL , SM6358D1RL , SM6362D1RL , 75N75 , SM6426D1RL , SM6442D1RL , SM6512D1RL , SM6536D1RL , SM6590D1RL , SM66406D1RL , SM6796D1RL , SM6802S1RL .

History: NTMFS4841NT1G | 2026 | AP9576GM-HF | SM8A02NSW | AOY66919 | NTB30N06L | YTF250

 

 
Back to Top

 


 
.