Справочник MOSFET. SM6366ED1RL

 

SM6366ED1RL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM6366ED1RL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SM6366ED1RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:743K  cn sps
 sm6366ed1rl.pdf pdf_icon

SM6366ED1RL

SM6366ED1RL30V /34A Single N Power MOSFET D E03D E 30V /34A Single N Power MOSFET 34E03DGeneral Description 30 VV DS30V /34A Single N Power MOSFET 3.6 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 5.7 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 34 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested

 9.1. Size:777K  cn sps
 sm6362d1rl.pdf pdf_icon

SM6366ED1RL

SM6362D1RL30V /60A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /60A Single N Power MOSFET 60N03DGeneral Description 30 VV DS30V /60A Single N Power MOSFET 6.0 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 9.5 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 60 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedS

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AOY66919 | SQJ460AEP | APM4500AK | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.