2SK3325-ZJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SK3325-ZJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 85 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 190 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для 2SK3325-ZJ
2SK3325-ZJ Datasheet (PDF)
2sk3325 2sk3325-s 2sk3325-zj.pdf
DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK3325SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTION ORDERING INFORMATION The 2SK3325 is N-Channel DMOS FET device that featuresPART NUMBER PACKAGEa low gate charge and excellent switching characteristics, and2SK3325 TO-220ABdesigned for high voltage applications such as switching power2SK3325-S TO-262supply, AC adapter.
2sk3325-zj.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3325-ZJFEATURESDrain Current : I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.85(Max) @VGS= 10VDS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno
2sk3325-s.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3325-SFEATURESDrain Current : I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.85(Max) @VGS= 10VDS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi
2sk3325.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsMOS Field Effect Transistor2SK3325TO-263Unit: mm+0.2Features4.57-0.21.27+0.1-0.1Low gate charge:QG = 22 nC TYP. (VDD = 400 V, VGS =10V, ID =10A)Gate voltage rating: 30 VLow on-state resistance0.1max1.27+0.1-0.1RDS(on) =0.85MAX. (VGS =10V, ID =5.0 A)+0.1Avalanche capability ratings0.81-0.12.541Gate2.54+0.2 +0.2-0.
2sk3325.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3325FEATURESDrain Current : I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.85(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: 2SK1623S
