2SK3325-ZJ datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SK3325-ZJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для 2SK3325-ZJ
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SK3325-ZJ даташит
2sk3325 2sk3325-s 2sk3325-zj.pdf
DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK3325 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION ORDERING INFORMATION The 2SK3325 is N-Channel DMOS FET device that features PART NUMBER PACKAGE a low gate charge and excellent switching characteristics, and 2SK3325 TO-220AB designed for high voltage applications such as switching power 2SK3325-S TO-262 supply, AC adapter.
2sk3325-zj.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3325-ZJ FEATURES Drain Current I = 10A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.85 (Max) @VGS= 10V DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and soleno
2sk3325-s.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3325-S FEATURES Drain Current I = 10A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.85 (Max) @VGS= 10V DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoi
2sk3325.pdf
SMD Type IC SMD Type Transistors MOS Field Effect Transistor 2SK3325 TO-263 Unit mm +0.2 Features 4.57-0.2 1.27+0.1 -0.1 Low gate charge QG = 22 nC TYP. (VDD = 400 V, VGS =10V, ID =10A) Gate voltage rating 30 V Low on-state resistance 0.1max 1.27+0.1 -0.1 RDS(on) =0.85 MAX. (VGS =10V, ID =5.0 A) +0.1 Avalanche capability ratings 0.81-0.1 2.54 1Gate 2.54+0.2 +0.2 -0.
Другие IGBT... 2SK3193, 2SK3217-01MR, 2SK3278D, 2SK3278I, 2SK3301D, 2SK3301I, 2SK3305-S, 2SK3325-S, IRLB4132, 2SK3352, 2SK3352B, 2SK3352K, 2SK3355-S, 2SK3355-ZJ, 2SK3399B, 2SK3399K, 2SK3820B
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet


