FCI25N60NF102 - описание и поиск аналогов

 

FCI25N60NF102. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCI25N60NF102

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 216 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: TO262 I2PAK

Аналог (замена) для FCI25N60NF102

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCI25N60NF102 даташит

 5.1. Size:598K  fairchild semi
 fci25n60n.pdf pdf_icon

FCI25N60NF102

November 2013 FCI25N60N N-Channel SupreMOS MOSFET 600 V, 25 A, 125 m Features Description The SupreMOS MOSFET is Fairchild Semiconductor s next RDS(on) = 107 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 12.5 A generation of high voltage super-junction (SJ) technology Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 57 nC) employing a deep trench filling process that differentiates it from Low Ef

 5.2. Size:421K  fairchild semi
 fci25n60n f102.pdf pdf_icon

FCI25N60NF102

June 2010 TM SupreMOS FCI25N60N_F102 tm N-Channel MOSFET 600V, 25A, 0.125 Features Description RDS(on) = 0.107 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 12.5A The SupreMOS MOSFET, Fairchild s next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 57nC) process that differentiates it from preceding multi-epi based tech-

Другие MOSFET... FCH47N60N , STU650S , FCH47N60NF , STU630S , FCH76N60N , STU624S , FCH76N60NF , STU622S , 12N60 , STU618S , FCI7N60 , STU616S , FCP11N60F , STU612D , FCP11N60N , STU610S , FCP13N60N .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.