Справочник MOSFET. FCI25N60NF102

 

FCI25N60NF102 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCI25N60NF102
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 216 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO262 I2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FCI25N60NF102 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:598K  fairchild semi
 fci25n60n.pdf pdf_icon

FCI25N60NF102

November 2013FCI25N60NN-Channel SupreMOS MOSFET600 V, 25 A, 125 mFeatures DescriptionThe SupreMOS MOSFET is Fairchild Semiconductors next RDS(on) = 107 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 12.5 Ageneration of high voltage super-junction (SJ) technology Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 57 nC)employing a deep trench filling process that differentiates it from Low Ef

 5.2. Size:421K  fairchild semi
 fci25n60n f102.pdf pdf_icon

FCI25N60NF102

June 2010 TMSupreMOSFCI25N60N_F102tmN-Channel MOSFET 600V, 25A, 0.125Features Description RDS(on) = 0.107 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 12.5A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 57nC)process that differentiates it from preceding multi-epi based tech-

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRFI4110G | STU12L01 | STW7NA80 | SW4N70K | WML05N80M3 | AP5521GM-HF | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.