25N06L-TN3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 25N06L-TN3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для 25N06L-TN3
25N06L-TN3 Datasheet (PDF)
25n06l-tn3.pdf

25N06L-TN3www.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise no
hyg025n06ls1c2.pdf

HYG025N06LS1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin DescriptionD D D DD D D D 60V/170ARDS(ON)= 2.1 m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON)= 3.2 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S S(RoHS Compliant)Pin1PDFN8L5x6Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous B
php125n06lt 4.pdf

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP125N06LT, PHB125N06LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 75 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 8 m (VGS = 5 V)g Low thermal resistance
phb125n06l.pdf

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB125N06LT Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 Vmounting Using trench technology ID Drain current (DC)1 75 Athe device fe
Другие MOSFET... 13N10 , 15N10-TO251 , 1812 , 1N60L-TM3-T , 20N03L-TO252 , 20N06L-TO252 , 20N3LG-TO251 , 20P06-TO252 , SPP20N60C3 , 25NF20 , 2N0623 , 2N65-TO252 , 2SJ530STL , 2SJ598-Z-E1 , 2SK1589-T1B , 2SK1623 , 2SK2158-T1B .
History: SDF100NA40JD | IRF6621
History: SDF100NA40JD | IRF6621



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent