Справочник MOSFET. AF2301PWL

 

AF2301PWL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AF2301PWL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AF2301PWL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AF2301PWL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2936K  cn vbsemi
 af2301pwl.pdf pdf_icon

AF2301PWL

AF2301PWLwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

 7.1. Size:133K  anachip
 af2301p.pdf pdf_icon

AF2301PWL

AF2301P20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Product Summary - Advanced trench process technology VDS = - 20V - High density cell design for ultra low on-resistance RDS (on), VGS@-4.5V, IDS@-2.8A =130m. - Excellent thermal and electrical capabilities RDS (on), VGS@-2.5V, IDS@-2.0A =190m. - Compact and low profile SOT-23 package Pin Descriptions Pin Assignments

Другие MOSFET... 2SK2158-T1B , 30N06L , 30N06-TO220 , 30N06-TO252 , 30N20 , 30P06 , 70N06L-TQ2 , 80N10 , IRFP250 , AF4502CSLA , AFN3404S23RG , AFN4172WSS8 , AFP2307AS23 , AM20P06-135 , AM2319P-T1 , AM2336N-T1 , AM2339P-T1 .

History: MMBFJ111 | CMPDM7002AE | STP30NF20

 

 
Back to Top

 


 
.