AF2301PWL - описание и поиск аналогов

 

AF2301PWL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AF2301PWL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 typ Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AF2301PWL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AF2301PWL даташит

 ..1. Size:2936K  cn vbsemi
 af2301pwl.pdf pdf_icon

AF2301PWL

AF2301PWL www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFET e - 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested 0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS

 7.1. Size:133K  anachip
 af2301p.pdf pdf_icon

AF2301PWL

AF2301P 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Product Summary - Advanced trench process technology VDS = - 20V - High density cell design for ultra low on-resistance RDS (on), VGS@-4.5V, IDS@-2.8A =130m . - Excellent thermal and electrical capabilities RDS (on), VGS@-2.5V, IDS@-2.0A =190m . - Compact and low profile SOT-23 package Pin Descriptions Pin Assignments

Другие MOSFET... 2SK2158-T1B , 30N06L , 30N06-TO220 , 30N06-TO252 , 30N20 , 30P06 , 70N06L-TQ2 , 80N10 , AON7506 , AF4502CSLA , AFN3404S23RG , AFN4172WSS8 , AFP2307AS23 , AM20P06-135 , AM2319P-T1 , AM2336N-T1 , AM2339P-T1 .

History: KNU4360A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.