Справочник MOSFET. AP2306AGN

 

AP2306AGN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2306AGN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AP2306AGN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2306AGN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:848K  cn vbsemi
ap2306agn.pdfpdf_icon

AP2306AGN

AP2306AGNwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)

 0.1. Size:106K  ape
ap2306agn-hf.pdfpdf_icon

AP2306AGN

AP2306AGN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 30V Lower on-resistance D RDS(ON) 35m Surface mount package ID 5A RoHS CompliantSDSOT-23GDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesGto achieve the lowest possible on-resistance, extreme

 6.1. Size:95K  ape
ap2306agen-hf.pdfpdf_icon

AP2306AGN

AP2306AGEN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30VD Small Outline Package RDS(ON) 50m Surface Mount Device ID 4.1AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23 GDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toDachieve the lowest possible on-res

 6.2. Size:179K  ape
ap2306agen.pdfpdf_icon

AP2306AGN

AP2306AGEN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30VD Small Outline Package RDS(ON) 50m Surface Mount Device ID 4.1AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23 GDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toDachieve the lowest possible on-res

Другие MOSFET... AO4614-30V , AO4816 , AOD438 , AOD522 , AP10P10GH , AP2300GN , AP2301N , AP2305GN , IRFZ48N , AP2306N , AP2308GE , AP2309AGN , AP2310GG , AP4565GM-30V , AP4953M , AP85U03GH , AP9435GG .

History: BUK7Y7R2-60E | KP504A | AP9467AGH-HF | 2SK3804-01S | ZXMN3A01F | HY5208W | 2SK3596-01L

 

 
Back to Top

 


 
.