AP2306AGN. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP2306AGN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для AP2306AGN
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP2306AGN даташит
ap2306agn.pdf
AP2306AGN www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.5 30 4.5 nC 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converter D TO-236 (SOT-23)
ap2306agn-hf.pdf
AP2306AGN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 30V Lower on-resistance D RDS(ON) 35m Surface mount package ID 5A RoHS Compliant S D SOT-23 G Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques G to achieve the lowest possible on-resistance, extreme
ap2306agen-hf.pdf
AP2306AGEN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30V D Small Outline Package RDS(ON) 50m Surface Mount Device ID 4.1A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to D achieve the lowest possible on-res
ap2306agen.pdf
AP2306AGEN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30V D Small Outline Package RDS(ON) 50m Surface Mount Device ID 4.1A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to D achieve the lowest possible on-res
Другие MOSFET... AO4614-30V , AO4816 , AOD438 , AOD522 , AP10P10GH , AP2300GN , AP2301N , AP2305GN , STP65NF06 , AP2306N , AP2308GE , AP2309AGN , AP2310GG , AP4565GM-30V , AP4953M , AP85U03GH , AP9435GG .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
c2577 transistor | k3563 transistor | 2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet | svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet




