AP2306AGN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP2306AGN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для AP2306AGN
AP2306AGN Datasheet (PDF)
ap2306agn.pdf

AP2306AGNwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)
ap2306agn-hf.pdf

AP2306AGN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 30V Lower on-resistance D RDS(ON) 35m Surface mount package ID 5A RoHS CompliantSDSOT-23GDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesGto achieve the lowest possible on-resistance, extreme
ap2306agen-hf.pdf

AP2306AGEN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30VD Small Outline Package RDS(ON) 50m Surface Mount Device ID 4.1AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23 GDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toDachieve the lowest possible on-res
ap2306agen.pdf

AP2306AGEN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30VD Small Outline Package RDS(ON) 50m Surface Mount Device ID 4.1AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23 GDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toDachieve the lowest possible on-res
Другие MOSFET... AO4614-30V , AO4816 , AOD438 , AOD522 , AP10P10GH , AP2300GN , AP2301N , AP2305GN , IRFZ48N , AP2306N , AP2308GE , AP2309AGN , AP2310GG , AP4565GM-30V , AP4953M , AP85U03GH , AP9435GG .
History: BUK7Y7R2-60E | KP504A | AP9467AGH-HF | 2SK3804-01S | ZXMN3A01F | HY5208W | 2SK3596-01L
History: BUK7Y7R2-60E | KP504A | AP9467AGH-HF | 2SK3804-01S | ZXMN3A01F | HY5208W | 2SK3596-01L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
c2577 transistor | k3563 transistor | 2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet | svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet