AP2309AGN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP2309AGN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для AP2309AGN
AP2309AGN Datasheet (PDF)
ap2309agn.pdf

AP2309AGNwww.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT-2
ap2309agn-hf.pdf

AP2309AGN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V Small Package Outline RDS(ON) 75mD Surface Mount Device ID - 3.4A RoHS Compliant & Halogen-FreeSSOT-23GDescription DAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,
ap2309gn.pdf

AP2309GNRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V Small Package Outline RDS(ON) 75mD Surface Mount Device ID - 3.7ASSOT-23GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, low on-resistance andGcost-effect
ap2309gen.pdf

AP2309GENHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD Small Package Outline RDS(ON) 52m Surface Mount Device ID - 4AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP2309 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve the
Другие MOSFET... AOD522 , AP10P10GH , AP2300GN , AP2301N , AP2305GN , AP2306AGN , AP2306N , AP2308GE , RU7088R , AP2310GG , AP4565GM-30V , AP4953M , AP85U03GH , AP9435GG , AP9435GK , AP9435K , AP9563M .
History: WPMD2013 | SEFY340CSTX | IRLR3714PBF
History: WPMD2013 | SEFY340CSTX | IRLR3714PBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
j377 transistor datasheet | svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g | ksa1381 replacement