AP2309AGN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP2309AGN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
trⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: SOT23
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AP2309AGN Datasheet (PDF)
ap2309agn.pdf

AP2309AGNwww.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT-2
ap2309agn-hf.pdf

AP2309AGN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V Small Package Outline RDS(ON) 75mD Surface Mount Device ID - 3.4A RoHS Compliant & Halogen-FreeSSOT-23GDescription DAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,
ap2309gn.pdf

AP2309GNRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V Small Package Outline RDS(ON) 75mD Surface Mount Device ID - 3.7ASSOT-23GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, low on-resistance andGcost-effect
ap2309gen.pdf

AP2309GENHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD Small Package Outline RDS(ON) 52m Surface Mount Device ID - 4AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP2309 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve the
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: STB21NM50N | CRST037N10N | SST60R280SFD | WVM6N100 | IRC830-008 | FQI3N90TU
History: STB21NM50N | CRST037N10N | SST60R280SFD | WVM6N100 | IRC830-008 | FQI3N90TU



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
j377 transistor datasheet | svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g | ksa1381 replacement