Справочник MOSFET. FCP36N60N

 

FCP36N60N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FCP36N60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 312 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 86 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FCP36N60N

 

FCP36N60N Datasheet (PDF)

1.1. fcp36n60n.pdf Size:408K _fairchild_semi

FCP36N60N
FCP36N60N

November 2010 SupreMOSTM FCP36N60N tm N-Channel MOSFET 600V, 36A, 90m? Features Description RDS(on) = 81m? ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 18A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 86nC) process that differentiates it from preceding multi-epi based technologies. By utilizi

Другие MOSFET... IRFP333 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , 75339P , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC .

 

 
Back to Top