Справочник MOSFET. FCP36N60N


FCP36N60N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FCP36N60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 312 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 86 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FCP36N60N



FCP36N60N Datasheet (PDF)

1.1. fcp36n60n.pdf Size:408K _fairchild_semi


November 2010 SupreMOSTM FCP36N60N tm N-Channel MOSFET 600V, 36A, 90m? Features Description RDS(on) = 81m? ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 18A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 86nC) process that differentiates it from preceding multi-epi based technologies. By utilizi

1.2. fcp36n60n.pdf Size:207K _inchange_semiconductor


INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor FCP36N60N ·FEATURES ·With TO-220 packaging ·High speed switching ·Very high commutation ruggedness ·Easy to use ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz ·APPLICATIONS ·PFC stages ·LCD & PDP TV ·Power supply ·Switching applications ·ABSOLUTE MAXIMU


Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .


Back to Top