Справочник MOSFET. APM4927KC

 

APM4927KC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APM4927KC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для APM4927KC

 

 

APM4927KC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1454K  cn vbsemi
 apm4927kc.pdf

APM4927KC APM4927KC

APM4927KCwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.021 at VGS = - 10 V - 9.5 100 % UIS TestedRoHS- 30 15 nCCOMPLIANT0.028 at VGS = - 4.5 V - 8.0APPLICATIONS Load Switches- Notebook PCs- Desktop PCsSO-8S1 S2- Game StationsS1 1 D18G

 6.1. Size:511K  sino
 apm4927k.pdf

APM4927KC APM4927KC

APM4927K Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD1D1D2 -30V/-9A,D2RDS(ON)= 15m (typ.) @ VGS=-10VRDS(ON)= 28m (typ.) @ VGS=-4.5VS1G1 Super High Dense Cell DesignS2G2 Reliable and RuggedTop View of SOP-8 Lead Free and Green Devices Available(1) (3) (RoHS Compliant)S1 S2Applications (2) (4)G1 G2 Power Management in MB/NB

 8.1. Size:137K  anpec
 apm4925k.pdf

APM4927KC APM4927KC

APM4925KDual P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD1 -30V/-6.1A ,D1D2RDS(ON)=24m(typ.) @ VGS=-10V D2RDS(ON)=30m(typ.) @ VGS=-4.5VS1G1 Super High Dense Cell DesignS2G2 Reliable and RuggedTop View of SOP - 8 SOP-8 Package Lead Free Available (RoHS Compliant)

 8.2. Size:148K  anpec
 apm4925.pdf

APM4927KC APM4927KC

APM4925 P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin Description -30V/-6.1A, RDS(ON) = 24m(typ.) @ VGS = -10VS1 1 8 D1RDS(ON) = 30m(typ.) @ VGS = -4.5VG1 2 7 D1 Super High Density Cell DesignS2 3 6 D2 Reliable and RuggedG2 45 D2 SO-8 Package SO - 8ApplicationsS1 S2 Power Management i

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top