CEG8205 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CEG8205
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 330 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: TSSOP8
Аналог (замена) для CEG8205
CEG8205 Datasheet (PDF)
ceg8205.pdf

CEG8205www.VBsemi.twDual N-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs0.022 at VGS = 4.5 V Available6.625RoHS*0.032 at VGS = 2.5 V 5.5COMPLIANTDDTSSOP-8 D D 1 8 S S 1 2 7 2 S S G1 G21 3 6 2 G 1 4 G 2 5 S1 S2Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATIN
ceg8205a.pdf

CEG8205ADual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 6A, RDS(ON) = 25m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 35m @VGS = 2.5V.Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D 1 8 DLead free product is acquired.2 7 S2S1TSSOP-8 for Surface Mount Package.S1 3 6 S24G1 5 G2G2S2S2G1DS1S1DTSSOP
ceg8208.pdf

CEG8208Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESD D20V, 6.5A, RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 32m @VGS = 2.5V.*1K *1KSuper High dense cell design for extremely low RDS(ON).G1 G2High power and current handing capability.Lead free product is acquired.S1 S2TSSOP-8 for Surface Mount Package.*Typical value by design ESD Protected: HBM 2000
Другие MOSFET... APM8010KC , APM9435KC , APM9945KC , BSC019N04NS , BUK9832-55 , C3028LD , CEA3055 , CEA3055L , IRF1010E , CEM4936 , CEM4946 , CEM9926 , CEM9956A , CEU20N06 , CEU50N06 , CHMP830JGP , CMD20N06L .
History: 2SK1248 | UPA1815GR | CEP6086 | HGS220N10SL | P6403FMG | AO3481 | ZXM62N03G
History: 2SK1248 | UPA1815GR | CEP6086 | HGS220N10SL | P6403FMG | AO3481 | ZXM62N03G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent