Справочник MOSFET. CEU50N06

 

CEU50N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEU50N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CEU50N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU50N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:827K  cn vbsemi
 ceu50n06.pdf pdf_icon

CEU50N06

CEU50N06www.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization:600.013 at VGS = 4.5 V 45DTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit U

Другие MOSFET... CEA3055 , CEA3055L , CEG8205 , CEM4936 , CEM4946 , CEM9926 , CEM9956A , CEU20N06 , 2SK3568 , CHMP830JGP , CMD20N06L , CMD20P03 , CMD50N06B , CMD50P03 , CMD5950 , CMN2305M , CMU12N10 .

 

 
Back to Top

 


 
.