CEU50N06 - описание и поиск аналогов

 

CEU50N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEU50N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CEU50N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU50N06 даташит

 ..1. Size:827K  cn vbsemi
 ceu50n06.pdf pdf_icon

CEU50N06

CEU50N06 www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization 60 0.013 at VGS = 4.5 V 45 D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit U

Другие MOSFET... CEA3055 , CEA3055L , CEG8205 , CEM4936 , CEM4946 , CEM9926 , CEM9956A , CEU20N06 , 4435 , CHMP830JGP , CMD20N06L , CMD20P03 , CMD50N06B , CMD50P03 , CMD5950 , CMN2305M , CMU12N10 .

History: DM7N65C | APM4927KC

 

 

 

 

↑ Back to Top
.