Справочник MOSFET. CHMP830JGP

 

CHMP830JGP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CHMP830JGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для CHMP830JGP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHMP830JGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1361K  cn vbsemi
 chmp830jgp.pdf pdf_icon

CHMP830JGP

CHMP830JGPwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.024 at VGS = - 4.5 V - 7.8APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchS SO-8S1 8 DG S D2 7S3 6 D

 0.1. Size:124K  chenmko
 chmp830jgp-a.pdf pdf_icon

CHMP830JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHMP830JGP-ASURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 8 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged and rel

Другие MOSFET... CEA3055L , CEG8205 , CEM4936 , CEM4946 , CEM9926 , CEM9956A , CEU20N06 , CEU50N06 , AON7410 , CMD20N06L , CMD20P03 , CMD50N06B , CMD50P03 , CMD5950 , CMN2305M , CMU12N10 , CPH3427-TL .

History: 2SK679A | RQ7E055AT | BUK7Y53-100B | FIR6N40FG | F4F60VX2 | STW55NM60ND | STW11NM80

 

 
Back to Top

 


 
.