CHMP830JGP - описание и поиск аналогов

 

CHMP830JGP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CHMP830JGP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 typ Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для CHMP830JGP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHMP830JGP даташит

 ..1. Size:1361K  cn vbsemi
 chmp830jgp.pdf pdf_icon

CHMP830JGP

CHMP830JGP www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.018 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET - 30 13 nC 100 % Rg Tested 0.024 at VGS = - 4.5 V - 7.8 APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S SO-8 S 1 8 D G S D 2 7 S 3 6 D

 0.1. Size:124K  chenmko
 chmp830jgp-a.pdf pdf_icon

CHMP830JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHMP830JGP-A SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 8 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * Rugged and rel

Другие MOSFET... CEA3055L , CEG8205 , CEM4936 , CEM4946 , CEM9926 , CEM9956A , CEU20N06 , CEU50N06 , SPP20N60C3 , CMD20N06L , CMD20P03 , CMD50N06B , CMD50P03 , CMD5950 , CMN2305M , CMU12N10 , CPH3427-TL .

History: FCP165N65S3R0

 

 

 

 

↑ Back to Top
.