D10PF06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: D10PF06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 120 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.061(typ) Ohm
Тип корпуса: TO252
D10PF06 Datasheet (PDF)
d10pf06.pdf
D10PF06www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Symbo
std10pf06-1 std10pf06t4.pdf
STD10PF06P-CHANNEL 60V - 0.18 - 10A IPAK/DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD10PF06 60 V
std10pf06.pdf
STD10PF06P-CHANNEL 60V - 0.18 - 10A IPAK/DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD10PF06 60 V
std10pf06t4.pdf
STD10PF06T4www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter S
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
