D10PF06 - описание и поиск аналогов

 

D10PF06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D10PF06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.061 typ Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для D10PF06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

D10PF06 даташит

 ..1. Size:831K  cn vbsemi
 d10pf06.pdf pdf_icon

D10PF06

D10PF06 www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested 0.061 at VGS = - 10 V - 30 APPLICATIONS - 60 10 0.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load Switch S TO-252 G G D S Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parameter Symbo

 0.1. Size:196K  st
 std10pf06-1 std10pf06t4.pdf pdf_icon

D10PF06

 0.2. Size:295K  st
 std10pf06.pdf pdf_icon

D10PF06

 0.3. Size:870K  cn vbsemi
 std10pf06t4.pdf pdf_icon

D10PF06

STD10PF06T4 www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested 0.061 at VGS = - 10 V - 30 APPLICATIONS - 60 10 0.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load Switch S TO-252 G G D S Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parameter S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CMD20P03 , CMD50N06B , CMD50P03 , CMD5950 , CMN2305M , CMU12N10 , CPH3427-TL , CSD17301Q5 , IRF530 , D4NK50Z-TO252 , DMC2038LVT-7-F , DMC2700UDM-7 , DMC3018LSD-13 , DMG1013UW-7 , DMG3420U-7 , DMG6602S , DMG6968U-7 .

History: D4NK50Z-TO252 | APQ02SN65AA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.