Справочник MOSFET. DTM4926

 

DTM4926 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DTM4926
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для DTM4926

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DTM4926 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:739K  cn vbsemi
 dtm4926.pdf pdf_icon

DTM4926

DTM4926www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.010 at VGS = 10 V 1230 5.9 nC Optimized for High-Side Synchronous0.012 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side SwitchSO

 9.1. Size:913K  cn vbsemi
 dtm4946.pdf pdf_icon

DTM4926

DTM4946www.VBsemi.twDual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055ID (A) per leg 7Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N-Channel

Другие MOSFET... DMG6602S , DMG6968U-7 , DMN4468LSS-13 , DMN6040SK3-13 , DMN6068LK3-13 , DMN6068SE-13 , DMP3025LK3-13 , DMP3056LSD-13 , SKD502T , DTM4946 , DTU09N03 , E10P02 , EMB60N06A , EMFA0P02J , F3055L-TO252 , FDD390N15AL , FDD3N40TM .

History: 2SK2419

 

 
Back to Top

 


 
.