Справочник MOSFET. DTU09N03

 

DTU09N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DTU09N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 525 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DTU09N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DTU09N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:901K  cn vbsemi
 dtu09n03.pdf pdf_icon

DTU09N03

DTU09N03www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.005 at VGS = 10 V 8030 31 nC0.006 at VGS = 4.5 V 68APPLICATIONSD OR-ingTO-252 Server DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLU

Другие MOSFET... DMN4468LSS-13 , DMN6040SK3-13 , DMN6068LK3-13 , DMN6068SE-13 , DMP3025LK3-13 , DMP3056LSD-13 , DTM4926 , DTM4946 , 7N60 , E10P02 , EMB60N06A , EMFA0P02J , F3055L-TO252 , FDD390N15AL , FDD3N40TM , FDD8444-NL , FDD8580-6 .

History: LSB65R380HT | TSJ10N10AT | RTR040N03TL | BLF645 | IXTH30N50L2 | 2SK1403A

 

 
Back to Top

 


 
.