DTU09N03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DTU09N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 525 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005(typ) Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для DTU09N03
DTU09N03 Datasheet (PDF)
dtu09n03.pdf

DTU09N03www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.005 at VGS = 10 V 8030 31 nC0.006 at VGS = 4.5 V 68APPLICATIONSD OR-ingTO-252 Server DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLU
Другие MOSFET... DMN4468LSS-13 , DMN6040SK3-13 , DMN6068LK3-13 , DMN6068SE-13 , DMP3025LK3-13 , DMP3056LSD-13 , DTM4926 , DTM4946 , 4N60 , E10P02 , EMB60N06A , EMFA0P02J , F3055L-TO252 , FDD390N15AL , FDD3N40TM , FDD8444-NL , FDD8580-6 .
History: 3SK181 | CM10N40 | 3SK15 | WMO4N65D1B | SM3319NSQA | IRFIZ24E
History: 3SK181 | CM10N40 | 3SK15 | WMO4N65D1B | SM3319NSQA | IRFIZ24E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055 | irfp260n | 2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet