Справочник MOSFET. DTU09N03

 

DTU09N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DTU09N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 61 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 525 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для DTU09N03

 

 

DTU09N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:901K  cn vbsemi
 dtu09n03.pdf

DTU09N03 DTU09N03

DTU09N03www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.005 at VGS = 10 V 8030 31 nC0.006 at VGS = 4.5 V 68APPLICATIONSD OR-ingTO-252 Server DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLU

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top