Справочник MOSFET. E10P02

 

E10P02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: E10P02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 1.7 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для E10P02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

E10P02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:855K  cn vbsemi
 e10p02.pdf pdf_icon

E10P02

E10P02www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definitiona0.015 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET- 13a 100 % Rg Tested0.026 at VGS = - 2.5 V - 20 20 nC- 10 Built in ESD Protection with Zener Diode0.065 at VGS = - 1.8 V - 8 Typical ES

Другие MOSFET... DMN6040SK3-13 , DMN6068LK3-13 , DMN6068SE-13 , DMP3025LK3-13 , DMP3056LSD-13 , DTM4926 , DTM4946 , DTU09N03 , 75N75 , EMB60N06A , EMFA0P02J , F3055L-TO252 , FDD390N15AL , FDD3N40TM , FDD8444-NL , FDD8580-6 , FDN304P-NL .

History: ZXMP7A17KTC | FQB9N25CTM

 

 
Back to Top

 


 
.