E10P02 - описание и поиск аналогов

 

E10P02. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: E10P02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.7 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для E10P02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

E10P02 даташит

 ..1. Size:855K  cn vbsemi
 e10p02.pdf pdf_icon

E10P02

E10P02 www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition a 0.015 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET - 13 a 100 % Rg Tested 0.026 at VGS = - 2.5 V - 20 20 nC - 10 Built in ESD Protection with Zener Diode 0.065 at VGS = - 1.8 V - 8 Typical ES

Другие MOSFET... DMN6040SK3-13 , DMN6068LK3-13 , DMN6068SE-13 , DMP3025LK3-13 , DMP3056LSD-13 , DTM4926 , DTM4946 , DTU09N03 , 18N50 , EMB60N06A , EMFA0P02J , F3055L-TO252 , FDD390N15AL , FDD3N40TM , FDD8444-NL , FDD8580-6 , FDN304P-NL .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.