Справочник MOSFET. FDS4685-NL

 

FDS4685-NL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDS4685-NL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для FDS4685-NL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS4685-NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:840K  cn vbsemi
fds4685-nl.pdfpdf_icon

FDS4685-NL

FDS4685-NLwww.VBsemi.twP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested- 40 33 nC0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Load Switch POLSO-8GSD

 7.1. Size:506K  fairchild semi
fds4685.pdfpdf_icon

FDS4685-NL

June 2005FDS468540V P-Channel PowerTrench MOSFETFeatures Applications 8.2 A, 40 V RDS(ON) = 0.027 @ VGS = 10 V Power managementRDS(ON) = 0.035 @ VGS = 4.5 V Load switch Fast switching speed Battery protection High performance trench technology for extremely low RDS(ON) General Description High power and current handling capabi

 7.2. Size:594K  onsemi
fds4685.pdfpdf_icon

FDS4685-NL

FDS468540V P-Channel PowerTrench MOSFETApplicationsFeatures Power management 8.2 A, 40 V RDS(ON) = 0.027 @ VGS = 10 V Load switchRDS(ON) = 0.035 @ VGS = 4.5 V Battery protection Fast switching speed High performance trench technology for extremely lowGeneral DescriptionRDS(ON) High power and current handling capability This P-

 9.1. Size:73K  fairchild semi
fds4675.pdfpdf_icon

FDS4685-NL

February 2001 FDS4675 40V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P MOSFET is a rugged gate version of -Channel 11 A, 40 V R = 0.013 @ V = 10 V DS(ON) GSFairchild Semiconductors advanced PowerTrench R = 0.017 @ V = 4.5 V DS(ON) GSprocess. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of g

Другие MOSFET... FDD8580-6 , FDN304P-NL , FDN335N-NL , FDN337N-NL , FDN338P-NL , FDS4435-NL , FDS4450 , FDS4465-NL-9 , RU7088R , FDS4897A , FDS4935BZ-NL-38 , FDS4936 , FDS6675B , FDS8333C , FDS8435A , FDS8984-NL , FDS9435 .

History: RSQ015N06TR | HY5208A | AP75N07AGP-HF | PMF77XN | TPM7002ER3 | F6F70HVX2 | RND030N20

 

 
Back to Top

 


 
.