Справочник MOSFET. FDS9435

 

FDS9435 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDS9435
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для FDS9435

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS9435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1397K  cn vbsemi
fds9435.pdfpdf_icon

FDS9435

FDS9435www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5DTop V

 0.1. Size:64K  fairchild semi
fds9435a.pdfpdf_icon

FDS9435

October 2001 FDS9435A 30V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P MOSFET is a rugged gate version of -Channel 5.3 A, 30 V R = 50 m @ V = 10 V DS(ON) GSFairchild Semiconductors advanced PowerTrench R = 80 m @ V = 4.5 V DS(ON) GSprocess. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave

 0.2. Size:194K  onsemi
fds9435a.pdfpdf_icon

FDS9435

FDS9435A 30V P-Channel PowerTrench Features MOSFET 5.3 A, 30 V R = 50 m @ V = 10 VDS(ON) GSGeneral Description R = 80 m @ V = 4.5 V DS(ON) GSThis P-Channel MOSFET is a rugged gate version of ON Low gate chargeSemiconductors advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring Fast switching speed

 0.3. Size:840K  cn vbsemi
fds9435a-nl.pdfpdf_icon

FDS9435

FDS9435A-NLwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5DT

Другие MOSFET... FDS4685-NL , FDS4897A , FDS4935BZ-NL-38 , FDS4936 , FDS6675B , FDS8333C , FDS8435A , FDS8984-NL , 2SK3918 , FDS9435A-NL , FDS9945-NL , FDT1600N10A , FDW2601NZ , FL014N , FNK10N25B , FQD13N10LTF , FQD20N06LE .

History: VS6018BS | CS6661 | SVG104R5NS6TR | 6N80G-TF3-T | 2SK1733 | NVTR4502P

 

 
Back to Top

 


 
.