Справочник MOSFET. FDS9435A-NL

 

FDS9435A-NL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDS9435A-NL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS9435A-NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:840K  cn vbsemi
fds9435a-nl.pdfpdf_icon

FDS9435A-NL

FDS9435A-NLwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5DT

 6.1. Size:64K  fairchild semi
fds9435a.pdfpdf_icon

FDS9435A-NL

October 2001 FDS9435A 30V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P MOSFET is a rugged gate version of -Channel 5.3 A, 30 V R = 50 m @ V = 10 V DS(ON) GSFairchild Semiconductors advanced PowerTrench R = 80 m @ V = 4.5 V DS(ON) GSprocess. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave

 6.2. Size:194K  onsemi
fds9435a.pdfpdf_icon

FDS9435A-NL

FDS9435A 30V P-Channel PowerTrench Features MOSFET 5.3 A, 30 V R = 50 m @ V = 10 VDS(ON) GSGeneral Description R = 80 m @ V = 4.5 V DS(ON) GSThis P-Channel MOSFET is a rugged gate version of ON Low gate chargeSemiconductors advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring Fast switching speed

 7.1. Size:1397K  cn vbsemi
fds9435.pdfpdf_icon

FDS9435A-NL

FDS9435www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5DTop V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HAF1002 | TK3A60DA | APL602J | PK5M6EA | BSS214NW

 

 
Back to Top

 


 
.