Справочник MOSFET. FTU36N06N

 

FTU36N06N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTU36N06N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 281 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для FTU36N06N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTU36N06N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:737K  cn vbsemi
 ftu36n06n.pdf pdf_icon

FTU36N06N

FTU36N06Nwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.032 at VGS = 10 V35d TrenchFET Power MOSFET60 21.70.037 at VGS = 4.5 V30d 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power SupplyDTO-251- Seconda

Другие MOSFET... FR120N , FR2307Z , FR5305 , FR5505 , FR9N20D , FSS210 , FTD2017 , FTD2017A , IRFP460 , FU120N , FU9024N , FW232A-TL-E , FW342-TL , G2306A , G2309 , GE3401 , GF4435 .

 

 
Back to Top

 


 
.