Справочник MOSFET. FTU36N06N

 

FTU36N06N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FTU36N06N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 59.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 9 ns
   Выходная емкость (Cd): 281 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.032(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для FTU36N06N

 

 

FTU36N06N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:737K  cn vbsemi
 ftu36n06n.pdf

FTU36N06N FTU36N06N

FTU36N06Nwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.032 at VGS = 10 V35d TrenchFET Power MOSFET60 21.70.037 at VGS = 4.5 V30d 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power SupplyDTO-251- Seconda

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top