FTU36N06N - описание и поиск аналогов

 

FTU36N06N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTU36N06N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 281 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 typ Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для FTU36N06N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTU36N06N даташит

 ..1. Size:737K  cn vbsemi
 ftu36n06n.pdf pdf_icon

FTU36N06N

FTU36N06N www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.032 at VGS = 10 V 35d TrenchFET Power MOSFET 60 21.7 0.037 at VGS = 4.5 V 30d 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Power Supply D TO-251 - Seconda

Другие MOSFET... FR120N , FR2307Z , FR5305 , FR5505 , FR9N20D , FSS210 , FTD2017 , FTD2017A , IRF640 , FU120N , FU9024N , FW232A-TL-E , FW342-TL , G2306A , G2309 , GE3401 , GF4435 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.