IM4435G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IM4435G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 typ Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для IM4435G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IM4435G даташит

 ..1. Size:1044K  cn vbsemi
 im4435g.pdf pdf_icon

IM4435G

IM4435G www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.018 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET - 30 13 nC 100 % Rg Tested 0.024 at VGS = - 4.5 V - 7.8 APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S SO-8 S 1 8 D G S D 2 7 S 3 6 D G

Другие IGBT... HM25P06K, HM3400PR, HM4409, HM4410, HM70P04K, HM8810E, HS50N06DA, IM2132, 13N50, IPP048N04, IPP048N06, IRF3410, IRF4435TR, IRF5305STR, IRF540NSTRPBF, IRF540ZP, IRF5802TR