Справочник MOSFET. IM4435G

 

IM4435G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IM4435G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для IM4435G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IM4435G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1044K  cn vbsemi
 im4435g.pdf pdf_icon

IM4435G

IM4435Gwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.024 at VGS = - 4.5 V - 7.8APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchS SO-8S1 8 DG S D2 7S3 6 DG

Другие MOSFET... HM25P06K , HM3400PR , HM4409 , HM4410 , HM70P04K , HM8810E , HS50N06DA , IM2132 , TK10A60D , IPP048N04 , IPP048N06 , IRF3410 , IRF4435TR , IRF5305STR , IRF540NSTRPBF , IRF540ZP , IRF5802TR .

History: WSF07N10 | IPP048N04 | IPP80N06S2-05 | WML15N25T2 | SSP80R850S2 | SI4812DY

 

 
Back to Top

 


 
.