IRF7204TR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF7204TR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC
trⓘ - Время нарастания: 1700 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: SO8
IRF7204TR Datasheet (PDF)
irf7204tr.pdf
IRF7204TRwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definitiona0.015 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET- 13a 100 % Rg Tested0.026 at VGS = - 2.5 V - 20 20 nC- 10 Built in ESD Protection with Zener Diode0.065 at VGS = - 1.8 V - 8 Typical
irf7204pbf.pdf
PD - 95165IRF7204PbFHEXFET Power MOSFETl Adavanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceA1 8S Dl P-Channel MOSFETVDSS = -20V2 7l Surface MountS Dl Available in Tape & Reel3 6S DRDS(on) = 0.060l Dynamic dv/dt Rating45G Dl Fast Switchingl Lead-Free ID = -5.3ATop ViewDescriptionFourth Generation HEXFETs from InternationalRectifier util
irf7204.pdf
PD - 9.1103BIRF7204HEXFET Power MOSFET Adavanced Process TechnologyA1 8S D Ultra Low On-ResistanceVDSS = -20V2 7 P-Channel MOSFETS D Surface Mount3 6S DRDS(on) = 0.060 Available in Tape & Reel45G D Dynamic dv/dt RatingID = -5.3A Fast SwitchingTop ViewDescriptionFourth Generation HEXFETs from InternationalRectifier utilize advanced process
irf7204pbf.pdf
PD - 95165IRF7204PbFHEXFET Power MOSFETl Adavanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceA1 8S Dl P-Channel MOSFETVDSS = -20V2 7l Surface MountS Dl Available in Tape & Reel3 6S DRDS(on) = 0.060l Dynamic dv/dt Rating45G Dl Fast Switchingl Lead-Free ID = -5.3ATop ViewDescriptionFourth Generation HEXFETs from InternationalRectifier util
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918