Справочник MOSFET. IRF7241TR

 

IRF7241TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7241TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 64 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для IRF7241TR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7241TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:818K  cn vbsemi
 irf7241tr.pdf pdf_icon

IRF7241TR

IRF7241TRwww.VBsemi.twP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested- 40 33 nC0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Load Switch POLSO-8GSD1

 7.1. Size:178K  international rectifier
 irf7241.pdf pdf_icon

IRF7241TR

PD- 94087IRF7241HEXFET Power MOSFET)))) Trench Technology VDSS RDS(on) max (m) ID Ultra Low On-Resistance-40V 41@VGS = -10V -6.2A P-Channel MOSFET70@VGS = -4.5V -5.0A Available in Tape & ReelA1 8S DDescription2 7New trench HEXFET Power MOSFETs from DSInternational Rectifier utilize advanced processing3 6S Dtechniques to achieve ex

 7.2. Size:170K  international rectifier
 irf7241pbf.pdf pdf_icon

IRF7241TR

PD - 95294IRF7241PbFHEXFET Power MOSFET Trench Technology VDSS RDS(on) max (mW) ID Ultra Low On-Resistance-40V 41@VGS = -10V -6.2A P-Channel MOSFET70@VGS = -4.5V -5.0A Available in Tape & Reel Lead-FreeA1 8S DDescription2 7New trench HEXFET Power MOSFETs from DSInternational Rectifier utilize advanced processing3 6S Dtechniques to achie

 8.1. Size:229K  international rectifier
 irf7240.pdf pdf_icon

IRF7241TR

PD- 93916IRF7240HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET-40V 0.015@VGS = -10V -10.5A Surface Mount0.025@VGS = -4.5V -8.4A Available in Tape & ReelA1 8DescriptionS DThese P-Channel MOSFETs from International2 7S DRectifier utilize advanced processing techniques toachieve the extremely low on-resistance per silicon3 6

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.