IRF7306QTR
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF7306QTR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 7.3
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 32
nC
trⓘ -
Время нарастания: 8
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 215
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035(typ)
Ohm
Тип корпуса:
SO8
Аналог (замена) для IRF7306QTR
IRF7306QTR
Datasheet (PDF)
..1. Size:1689K cn vbsemi
irf7306qtr.pdf 
IRF7306QTRwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top V
6.1. Size:249K international rectifier
irf7306qpbf.pdf 
PD - 96105IRF7306QPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technology1 8l Ultra Low On-ResistanceS1 D1VDSS = -30Vl Dual P Channel MOSFET2 7G1 D1l Surface Mount3 6S2 D2l Available in Tape & Reel4l 150C Operating Temperature 5G2 D2 RDS(on) = 0.10l Automotive [Q101] Qualifiedl Lead-FreeTop ViewDescriptionSpecifically designed for Automotive applic
7.1. Size:113K international rectifier
irf7306.pdf 
PD - 9.1241CIRF7306HEXFET Power MOSFET Generation V Technology1 8 Ultra Low On-ResistanceS1 D1VDSS = -30V Dual P-Channel Mosfet 2 7G1 D1 Surface Mount3 6S2 D2 Available in Tape & Reel45RDS(on) = 0.10G2 D2 Dynamic dv/dt Rating Fast SwitchingTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techni
7.2. Size:231K infineon
irf7306pbf.pdf 
PD - 95178IRF7306PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistancel Dual P-Channel Mosfet 1 8S1 D1VDSS = -30Vl Surface Mount2 7G1 D1l Available in Tape & Reel3 6S2 D2l Dynamic dv/dt Rating4 5l Fast SwitchingG2 D2 RDS(on) = 0.10l Lead-FreeTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advance
7.3. Size:1687K cn vbsemi
irf7306tr.pdf 
IRF7306TRwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top Vi
Другие MOSFET... IRFP344
, IRFP350
, IRFP350A
, IRFP350FI
, IRFP350LC
, IRFP351
, IRFP352
, IRFP353
, 2SK3568
, IRFP360
, IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
.
