Справочник MOSFET. IRF7831TR

 

IRF7831TR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF7831TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
   Время нарастания (tr): 12 ns
   Выходная емкость (Cd): 195 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для IRF7831TR

 

 

IRF7831TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:810K  cn vbsemi
irf7831tr.pdf

IRF7831TR IRF7831TR

IRF7831TRwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.004 at VGS = 10 V 1830 6.8 nC Optimized for High-Side Synchronous0.005 at VGS = 4.5 V 16Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch

 7.1. Size:264K  international rectifier
irf7831pbf.pdf

IRF7831TR IRF7831TR

PD - 95134BIRF7831PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg (typ.)l High Frequency Point-of-Load3.6m:@VGS = 10V30V 40nCSynchronous Buck Converter forApplications in Networking &Computing Systems.AA1 8S DBenefits2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Ultra-Low Gate Impedance45G Dl Fully Characterized Avalanche Voltage and Cu

 7.2. Size:264K  international rectifier
irf7831.pdf

IRF7831TR IRF7831TR

PD - 94636BIRF7831HEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg (typ.)l High Frequency Point-of-Load3.6m:@VGS = 10V30V 40nCSynchronous Buck Converter forApplications in Networking &Computing Systems.AA1 8S DBenefits2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Ultra-Low Gate Impedance45G Dl Fully Characterized Avalanche Voltage and Curre

 7.3. Size:264K  infineon
irf7831pbf.pdf

IRF7831TR IRF7831TR

PD - 95134BIRF7831PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg (typ.)l High Frequency Point-of-Load3.6m:@VGS = 10V30V 40nCSynchronous Buck Converter forApplications in Networking &Computing Systems.AA1 8S DBenefits2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Ultra-Low Gate Impedance45G Dl Fully Characterized Avalanche Voltage and Cu

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top