FCPF9N60NT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FCPF9N60NT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.385 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FCPF9N60NT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCPF9N60NT даташит

 ..1. Size:906K  fairchild semi
 fcp9n60n fcpf9n60nt.pdf pdf_icon

FCPF9N60NT

August 2009 SupreMOSTM FCP9N60N / FCPF9N60NT tm N-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.385 Features Description RDS(on) = 0.33 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 4.5A The SupreMOS MOSFET, Fairchild s next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 22nC) process that differentiates it from preceding multi-epi based

 ..2. Size:753K  onsemi
 fcp9n60n fcpf9n60nt.pdf pdf_icon

FCPF9N60NT

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... FCPF16N60NT, STU421S, FCPF22N60NT, STU420S, FCPF7N60, STU419S, FCPF7N60NT, STU419A, IRF1405, STU417S, FDA032N08, FDA15N65, FDA16N50F109, FDA18N50, FDA20N50F109, FDA20N50F, FDA24N40F