IRFR3410TR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFR3410TR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 35 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 290 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03(typ) Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IRFR3410TR
IRFR3410TR Datasheet (PDF)
irfr3410tr.pdf
IRFR3410TRwww.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.030 at VGS = 10 V40RoHS*100 Low Thermal Resistance Package0.035 at VGS = 4.5 V37COMPLIANTDTO-252GG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unl
irfr3410.pdf
PD - 94505IRFR3410 IRFU3410HEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High frequency DC-DC converters100V 39m 31ABenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Characterized Avalanche VoltageD-Pak I-Pakand CurrentIRFR3410 IRFU
irfr3410pbf irfu3410pbf.pdf
PD - 95514AIRFR3410PbF IRFU3410PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High frequency DC-DC converters100V 39m 31Al Lead-FreeBenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Characterized Avalanche VoltageD-Pak I-Pakand Cu
irfr3410pbf irfu3410pbf.pdf
PD - 95514AIRFR3410PbF IRFU3410PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High frequency DC-DC converters100V 39m 31Al Lead-FreeBenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Characterized Avalanche VoltageD-Pak I-Pakand Cu
irfr3410.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR3410, IIRFR3410FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)39mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency DC-DC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 1
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
