IRFR3710ZTR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFR3710ZTR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0185 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IRFR3710ZTR
IRFR3710ZTR Datasheet (PDF)
irfr3710ztr.pdf

IRFR3710ZTRwww.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0185 at VGS = 10 V 100 60 38 nCAPPLICATIONS Primary Side Switch Isolated DC/DC ConverterTO-252D G S G D STop View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless oth
auirfr3710ztrl.pdf

PD - 97451AUTOMOTIVE GRADEAUIRFR3710ZHEXFET Power MOSFETFeaturesDl Advanced Process Technology V(BR)DSS100Vl Ultra Low On-ResistanceRDS(on) max.18ml 175C Operating TemperatureGl Fast SwitchingID (Silicon Limited)56Al Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxSID (Package Limited)42Al Lead-Free, RoHS Compliantl Automotive Qualified *Description
irfr3710zpbf irfu3710zpbf irfu3710z-701pbf.pdf

PD - 95513DIRFR3710ZPbFIRFU3710ZPbFIRFU3710Z-701PbFFeaturesl Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureVDSS = 100Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 18ml Multiple Package OptionsGl Lead-FreeID = 42ADescription SThis HEXFET Power MOSFET utilizes thelatest pro
irfr3710zpbf.pdf

PD - 95513DIRFR3710ZPbFIRFU3710ZPbFIRFU3710Z-701PbFFeaturesl Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureVDSS = 100Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 18ml Multiple Package OptionsGl Lead-FreeID = 42ADescription SThis HEXFET Power MOSFET utilizes thelatest pro
Другие MOSFET... IRFR310T , IRFR3410TR , IRFR3411TR , IRFR3707ZTR , IRFR3708TR , IRFR3709ZCT , IRFR3709ZT , IRFR3709ZTR , AO4407 , IRFR3910TR , IRFR4104TRPBF , IRFR4105ZTR , IRFR420BTM , IRFR4510TR , IRFR4620TRPBF , IRFR48ZTR , IRFR5305TRPBF .
History: MTBA6C15Q8 | NCEP095N10AG | SSM9960GJ | RCJ100N25 | VTI640F | IRFZ44ELPBF | NP60N055KUG
History: MTBA6C15Q8 | NCEP095N10AG | SSM9960GJ | RCJ100N25 | VTI640F | IRFZ44ELPBF | NP60N055KUG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement