IRFR9024NTRPBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFR9024NTRPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.061 typ Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IRFR9024NTRPBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFR9024NTRPBF даташит
irfr9024ntrpbf.pdf
IRFR9024NTRPBF www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested 0.061 at VGS = - 10 V - 30 APPLICATIONS - 60 10 0.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load Switch S TO-252 G G D S Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Paramete
irfr9024ncpbf irfu9024ncpbf.pdf
PD - 96048 IRFR9024NCPbF IRFU9024NCPbF (IRFR9024NCPbF) (IRFU9024NCPbF) Lead-Free www.irf.com 1 05/31/06 IRFR/U9024NCPbF 2 www.irf.com IRFR/U9024NCPbF www.irf.com 3 IRFR/U9024NCPbF 4 www.irf.com IRFR/U9024NCPbF www.irf.com 5 IRFR/U9024NCPbF 6 www.irf.com IRFR/U9024NCPbF Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit + Circuit Layout Considerations Low Stray Inductanc
irfr9024npbf irfu9024npbf.pdf
PD - 95015A IRFR9024NPbF IRFU9024NPbF Lead-Free www.irf.com 1 12/14/04 IRFR/U9024NPbF 2 www.irf.com IRFR/U9024NPbF www.irf.com 3 IRFR/U9024NPbF 4 www.irf.com IRFR/U9024NPbF www.irf.com 5 IRFR/U9024NPbF 6 www.irf.com IRFR/U9024NPbF Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit + Circuit Layout Considerations Low Stray Inductance Ground Plane Low Leakage In
irfr9024n.pdf
PD - 9.1506 IRFR/U9024N PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance D P-Channel VDSS = -55V Surface Mount (IRFR9024N) Straight Lead (IRFU9024N) RDS(on) = 0.175 Advanced Process Technology G Fast Switching ID = -11A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
Другие MOSFET... IRFR4620TRPBF , IRFR48ZTR , IRFR5305TRPBF , IRFR540ZTRPBF , IRFR5410TR , IRFR5505TR , IRFR9010TR , IRFR9014TR , 5N60 , IRFR9024TR , IRFR9120NTRPBF , IRFU110P , IRFU120NP , IRFU3410P , IRFU3505P , IRFU3910P , IRFU430AP .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor





