IRFR9120NTRPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFR9120NTRPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 32.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 23.2 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 65 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.279 Ohm
Тип корпуса: TO251 TO252
Аналог (замена) для IRFR9120NTRPBF
IRFR9120NTRPBF Datasheet (PDF)
irfr9120ntrpbf.pdf
IRFR9120NTRPBFwww.VBsemi.twP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.250 at VGS = - 10 V - 8.8 TrenchFET Power MOSFET- 100 11.70.280 at VGS = - 4.5 V - 8.0 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-251 Power Switc
irfr9120npbf irfu9120npbf.pdf
PD-95020AIRFR9120NPbFIRFU9120NPbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel P-ChannelDVDSS = -100Vl Surface Mount (IRFR9120N)l Straight Lead (IRFU9120N)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.48Gl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedID = -6.6ASl Lead-FreeDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing
irfr9120n.pdf
PD - 9.1507AIRFR/U9120NPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceD P-ChannelVDSS = -100V Surface Mount (IRFR9120N) Straight Lead (IRFU9120N)RDS(on) = 0.48 Advanced Process TechnologyG Fast SwitchingID = -6.6A Fully Avalanche RatedSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achie
irfr9120npbf irfu9120npbf.pdf
PD-95020AIRFR9120NPbFIRFU9120NPbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel P-ChannelDVDSS = -100Vl Surface Mount (IRFR9120N)l Straight Lead (IRFU9120N)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.48Gl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedID = -6.6ASl Lead-FreeDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
