IRFZ48RSP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFZ48RSP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0123(typ) Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IRFZ48RSP
IRFZ48RSP Datasheet (PDF)
irfz48rsp.pdf

IRFZ48RSPwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 60600.013 at VGS = 4.5 V 50DD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitVGSGate-Sourc
irfz48rspbf irfz48rlpbf.pdf

PD - 95761IRFZ48RSPbFIRFZ48RLPbFl Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFETl Dynamic dv/dt RatingDl 175C Operating TemperatureVDSS = 60Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.018l Drop in Replacement of the IRFZ48Gfor Linear/Audio ApplicationsID = 50*Al Lead-FreeSDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier
irfz48rl irfz48rlpbf irfz48rs irfz48rspbf sihfz48rl sihfz48rs.pdf

IRFZ48RS, IRFZ48RL, SiHFZ48RS, SiHFZ48RLVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60 Definition Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018 Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 110 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 29 Fast SwitchingQgd (nC) 36 Fully Avalanche RatedConfiguration Si
irfz48rs irfz48rl sihfz48rs sihfz48rl.pdf

IRFZ48RS, IRFZ48RL, SiHFZ48RS, SiHFZ48RLVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60 Definition Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018 Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 110 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 29 Fast SwitchingQgd (nC) 36 Fully Avalanche RatedConfiguration Si
Другие MOSFET... IRFU3910P , IRFU430AP , IRFU4615P , IRFZ34NP , IRFZ34NSTR , IRFZ44RP , IRFZ44VP , IRFZ48NP , IRFZ46N , IRL520NP , IRLB8721P , IRLI3615P , IRLI3803P , IRLL014NTR , IRLL024NTR , IRLL024ZTR , IRLL2705TR .
History: JCS20N60WH | RDN100N20 | BUZ901D
History: JCS20N60WH | RDN100N20 | BUZ901D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302