Справочник MOSFET. IRFZ48RSP

 

IRFZ48RSP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFZ48RSP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 47 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0123(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRFZ48RSP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFZ48RSP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:901K  cn vbsemi
 irfz48rsp.pdf pdf_icon

IRFZ48RSP

IRFZ48RSPwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 60600.013 at VGS = 4.5 V 50DD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitVGSGate-Sourc

 0.1. Size:262K  international rectifier
 irfz48rspbf irfz48rlpbf.pdf pdf_icon

IRFZ48RSP

PD - 95761IRFZ48RSPbFIRFZ48RLPbFl Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFETl Dynamic dv/dt RatingDl 175C Operating TemperatureVDSS = 60Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.018l Drop in Replacement of the IRFZ48Gfor Linear/Audio ApplicationsID = 50*Al Lead-FreeSDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier

 0.2. Size:228K  vishay
 irfz48rl irfz48rlpbf irfz48rs irfz48rspbf sihfz48rl sihfz48rs.pdf pdf_icon

IRFZ48RSP

IRFZ48RS, IRFZ48RL, SiHFZ48RS, SiHFZ48RLVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60 Definition Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018 Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 110 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 29 Fast SwitchingQgd (nC) 36 Fully Avalanche RatedConfiguration Si

 6.1. Size:203K  vishay
 irfz48rs irfz48rl sihfz48rs sihfz48rl.pdf pdf_icon

IRFZ48RSP

IRFZ48RS, IRFZ48RL, SiHFZ48RS, SiHFZ48RLVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60 Definition Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018 Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 110 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 29 Fast SwitchingQgd (nC) 36 Fully Avalanche RatedConfiguration Si

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFU3910P , IRFU430AP , IRFU4615P , IRFZ34NP , IRFZ34NSTR , IRFZ44RP , IRFZ44VP , IRFZ48NP , IRF730 , IRL520NP , IRLB8721P , IRLI3615P , IRLI3803P , IRLL014NTR , IRLL024NTR , IRLL024ZTR , IRLL2705TR .

 

 
Back to Top

 


 
.