IRFZ48RSP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFZ48RSP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0123(typ) Ohm
Тип корпуса: TO263
IRFZ48RSP Datasheet (PDF)
irfz48rsp.pdf
IRFZ48RSPwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 60600.013 at VGS = 4.5 V 50DD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitVGSGate-Sourc
irfz48rspbf irfz48rlpbf.pdf
PD - 95761IRFZ48RSPbFIRFZ48RLPbFl Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFETl Dynamic dv/dt RatingDl 175C Operating TemperatureVDSS = 60Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.018l Drop in Replacement of the IRFZ48Gfor Linear/Audio ApplicationsID = 50*Al Lead-FreeSDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier
irfz48rl irfz48rlpbf irfz48rs irfz48rspbf sihfz48rl sihfz48rs.pdf
IRFZ48RS, IRFZ48RL, SiHFZ48RS, SiHFZ48RLVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60 Definition Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018 Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 110 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 29 Fast SwitchingQgd (nC) 36 Fully Avalanche RatedConfiguration Si
irfz48rs irfz48rl sihfz48rs sihfz48rl.pdf
IRFZ48RS, IRFZ48RL, SiHFZ48RS, SiHFZ48RLVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60 Definition Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018 Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 110 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 29 Fast SwitchingQgd (nC) 36 Fully Avalanche RatedConfiguration Si
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918