IRLMS6802TRPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRLMS6802TRPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для IRLMS6802TRPBF
IRLMS6802TRPBF Datasheet (PDF)
irlms6802trpbf.pdf

IRLMS6802TRPBFwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET- 30 5.1 nC0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1APPLICATIONS Load SwitchTSOP-6(4) STop V iew1 6(3) G3 mm523 4(1, 2, 5, 6) D2.85 mm
irlms6802pbf.pdf

PD- 94897IRLMS6802PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceA1 6l P-Channel MOSFET D DVDSS = -20Vl Surface Mount25DDl Available in Tape & Reell Lead-Free3 4G SRDS(on) = 0.050Top ViewDescriptionThese P-Channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. Thi
irlms6802.pdf

PD- 91848EIRLMS6802HEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceA1 6l P-Channel MOSFET D DVDSS = -20Vl Surface Mount25DDl Available in Tape & Reel3 4G SRDS(on) = 0.050Top ViewDescriptionThese P-Channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. This benefitprov
irlms6702.pdf

PD - 91414CIRLMS6702HEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyA1 6D Dl Micro6 Package StyleVDSS = -20Vl Ultra Low RDS(on)25DDl P-Channel MOSFET34G S RDS(on) = 0.20DescriptionFifth Generation HEXFET power MOSFETs from Top ViewInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistanceper silicon area. T
Другие MOSFET... IRLML6344GT , IRLML6344TR , IRLML6401GTRPBF , IRLML6401TRPBF , IRLML6402G , IRLML6402TRPBF , IRLML9301TR , IRLMS2002TR , IRF540 , IRLR014NTRP , IRLR120NTR , IRLR2705TRPBF , IRLR2905TR , IRLR2905ZTR , IRLR2908TR , IRLR3105TR , IRLR3410TR .
History: FKI07076
History: FKI07076



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970 | a970