Справочник MOSFET. IRLMS6802TRPBF

 

IRLMS6802TRPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLMS6802TRPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
   Время нарастания (tr): 80 ns
   Выходная емкость (Cd): 80 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6

 Аналог (замена) для IRLMS6802TRPBF

 

 

IRLMS6802TRPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:881K  cn vbsemi
 irlms6802trpbf.pdf

IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF

IRLMS6802TRPBFwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET- 30 5.1 nC0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1APPLICATIONS Load SwitchTSOP-6(4) STop V iew1 6(3) G3 mm523 4(1, 2, 5, 6) D2.85 mm

 5.1. Size:148K  international rectifier
 irlms6802pbf.pdf

IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF

PD- 94897IRLMS6802PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceA1 6l P-Channel MOSFET D DVDSS = -20Vl Surface Mount25DDl Available in Tape & Reell Lead-Free3 4G SRDS(on) = 0.050Top ViewDescriptionThese P-Channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. Thi

 5.2. Size:91K  international rectifier
 irlms6802.pdf

IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF

PD- 91848EIRLMS6802HEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceA1 6l P-Channel MOSFET D DVDSS = -20Vl Surface Mount25DDl Available in Tape & Reel3 4G SRDS(on) = 0.050Top ViewDescriptionThese P-Channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. This benefitprov

 5.3. Size:148K  infineon
 irlms6802pbf.pdf

IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF

PD- 94897IRLMS6802PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceA1 6l P-Channel MOSFET D DVDSS = -20Vl Surface Mount25DDl Available in Tape & Reell Lead-Free3 4G SRDS(on) = 0.050Top ViewDescriptionThese P-Channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. Thi

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top