IRLR2905ZTR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRLR2905ZTR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IRLR2905ZTR
IRLR2905ZTR Datasheet (PDF)
irlr2905ztr.pdf

IRLR2905ZTRwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization:600.013 at VGS = 4.5 V 45DTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limi
auirlr2905ztr.pdf

PD - 97583AUTOMOTIVE GRADEAUIRLR2905ZFeaturesHEXFET Power MOSFET Logic Level Advanced Process TechnologyDV(BR)DSS 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating TemperatureRDS(on) max.13.5m Fast SwitchingGID (Silicon Limited)60A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS CompliantSID (Package Limited) 42A Automot
irlu2905zpbf irlr2905zpbf.pdf

PD - 95774BIRLR2905ZPbFIRLU2905ZPbFFeatures HEXFET Power MOSFET Logic LevelD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating TemperatureRDS(on) = 13.5m Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-FreeID = 42ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extrem
irlr2905zpbf irlu2905zpbf.pdf

PD - 95774BIRLR2905ZPbFIRLU2905ZPbFFeatures HEXFET Power MOSFET Logic LevelD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating TemperatureRDS(on) = 13.5m Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-FreeID = 42ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extrem
Другие MOSFET... IRLML6402TRPBF , IRLML9301TR , IRLMS2002TR , IRLMS6802TRPBF , IRLR014NTRP , IRLR120NTR , IRLR2705TRPBF , IRLR2905TR , IRFP460 , IRLR2908TR , IRLR3105TR , IRLR3410TR , IRLR3636TRPBF , IRLR8103VTR , IRLR8729TR , 100N03A , 30N03A .
History: APT10035JFLL | BFD71 | IPD053N08N3 | NTHD5904NT3 | AM1400NE | H90N71P | SSF7510
History: APT10035JFLL | BFD71 | IPD053N08N3 | NTHD5904NT3 | AM1400NE | H90N71P | SSF7510



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022