35N06 - описание и поиск аналогов

 

35N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 35N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 73.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для 35N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

35N06 даташит

 ..1. Size:776K  umw-ic
35n06.pdfpdf_icon

35N06

R UMW UMW 35N06 60V N-Channel Power Mosfet General Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. Features VDS = 60V,ID =35A RDS(ON),23 m (Typ) @ VGS =10V RDS(ON),30 m (Typ) @ VGS =4.5V Fast Switching Low ON Resistance(Rdson 29m ) Low Gate C

 0.1. Size:627K  1
jmtq35n06a.pdfpdf_icon

35N06

JMTQ35N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V,35A Load Switch R

 0.2. Size:1335K  1
hyg035n06ls1c2.pdfpdf_icon

35N06

HYG035N06LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 65V/90A D D D D D D D D RDS(ON)= 2.9m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 4.7m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G PDFN8L(5x6) Applications Load Switch Lithium battery protect board Motor drive for electric

 0.3. Size:100K  motorola
mtp35n06zl.pdfpdf_icon

35N06

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP35N06ZL/D Product Preview MTP35N06ZL HDTMOS E-FET. Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced high voltage TMOS E FET is designed to 35 AMPERES withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. 60 VOLTS This new high energy device also

Другие MOSFET... IRLR2908TR , IRLR3105TR , IRLR3410TR , IRLR3636TRPBF , IRLR8103VTR , IRLR8729TR , 100N03A , 30N03A , 10N60 , AO3402A , AO3403A , AO3409A , AO3413A , AO3414A , AO3416A , AO3422A , AO3423A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.