AO3442A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AO3442A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 2.8 nC
Время нарастания (tr): 4 ns
Выходная емкость (Cd): 13 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.63 Ohm
Тип корпуса: SOT23
AO3442A Datasheet (PDF)
ao3442a.pdf
RUMWUMW AO3442A100V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionThe AO3442 combines advanced trench MOSFET SOT23 technology with a low resistance package to provideextremely low RDS(ON). This device is ideal for boostconverters and synchronous rectifiers for consumer,telecom, industrial power supplies and LED backlighting.Product SummaryVDS100V ID (at VGS=10V) 1A1. GATE
ao3442.pdf
AO3442100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AO3442 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 1Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)
ao3442.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO3442 (KO3442)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 100V ID = 1 A (VGS = 10V)1 2 RDS(ON) 630m (VGS = 10V)+0.10.95-0.1 0.1+0.05-0.01+0.11.9-0.1 RDS(ON) 720m (VGS = 4.5V)DD1. Gate2. Source3. DrainG GSS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symb
ao3442-3.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO3442 (KO3442)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 100V ID = 1 A (VGS = 10V)1 2 RDS(ON) 630m (VGS = 10V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 RDS(ON) 720m (VGS = 4.5V) +0.11.9-0.2DD1. Gate2. Source3. DrainG GSS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter
ao3442.pdf
AO3442www.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested0.240 at VGS = 10 V 2.0 Material categorization:0.250 at VGS = 6 V100 1.8 2.9 nC0.260 at VGS = 4.5 V1.7APPLICATIONS DC/DC Converters Load Switch LED Backlighting
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
