TPCJ2101 - описание и поиск аналогов

 

TPCJ2101. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPCJ2101

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для TPCJ2101

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPCJ2101 даташит

 ..1. Size:1540K  cn tech public
tpcj2101.pdfpdf_icon

TPCJ2101

 7.1. Size:1323K  cn tech public
tpcj2102.pdfpdf_icon

TPCJ2101

Другие MOSFET... PDMN66D0LDW , PNTK3139PT5G , PRHP020N06 , PRZM002P02T2L , PUM6K31N , TPAO5401EL , TPAO5404EL , TPCJ1012 , 20N50 , TPCJ2102 , TPDMN26D0UFB4 , TPDMP2160UW , TPM1012ER3 , TPM1012R3 , TPM1013ER3 , TPM2008EP3 , TPM2008EP3-A .

History: STP4441 | SM7340EHKP | SM2323PSA | JCS4N60CB | LPM2301B3F | 2SK3496-01MR | SM4804DSK

 

 

 

 

↑ Back to Top
.