TPDMN26D0UFB4 - описание и поиск аналогов

TPDMN26D0UFB4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPDMN26D0UFB4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: DFN1006-3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам